[发明专利]平板显示设备的底板、平板显示设备及制造该底板的方法有效
申请号: | 201210158797.9 | 申请日: | 2012-05-21 |
公开(公告)号: | CN102842582A | 公开(公告)日: | 2012-12-26 |
发明(设计)人: | 郑棕翰;崔千基 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘灿强 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 平板 显示 设备 底板 制造 方法 | ||
1.一种用于平板显示设备的底板,所述底板包括:
基底;
像素电极,位于基底上,并包括透明导电材料;
电容器第一电极,与像素电极形成在同一层;
第一保护层,覆盖像素电极的上边缘和电容器第一电极;
薄膜晶体管的栅电极,形成在第一保护层上;
电容器第二电极,与栅电极形成在同一层;
第一绝缘层,覆盖栅电极和电容器第二电极;
半导体层,形成在第一绝缘层上并包括透明导电材料;
第二绝缘层,覆盖半导体层;
薄膜晶体管的源电极和漏电极,形成在第二绝缘层上,其中,源电极和漏电极穿过第二绝缘层连接到半导体层,源电极和漏电极中的至少一个连接到像素电极;以及
第三绝缘层,覆盖源电极和漏电极,并暴露像素电极。
2.如权利要求1所述的底板,其中,电容器第一电极由与用于形成像素电极的材料相同的材料形成。
3.如权利要求1所述的底板,其中,透明导电材料是从由氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌、氧化铟、氧化铟镓和氧化铝锌组成的组中选取的至少一种。
4.如权利要求1所述的底板,其中,像素电极还包括半透明金属层。
5.如权利要求4所述的底板,其中,半透明金属层包括银。
6.如权利要求1所述的底板,其中,第一保护层是绝缘层。
7.如权利要求1所述的底板,其中,电容器第二电极由与用于形成栅电极的材料相同的材料形成。
8.如权利要求1所述的底板,其中,半导体层包括从由镓Ga、铟In、锌Zn、铪Hf和锡Sn组成的组中选取的至少一种金属和氧O。
9.如权利要求1所述的底板,其中,源电极和漏电极中的一个通过同时穿过第一保护层、第一绝缘层和第二绝缘层的通孔连接到像素电极。
10.如权利要求1所述的底板,其中,第一保护层、第一绝缘层和第二绝缘层形成暴露像素电极的上表面的开口,第一保护层形成的蚀刻表面与第一绝缘层和第二绝缘层形成的蚀刻表面形成间隙。
11.如权利要求10所述的底板,所述底板还包括在第一保护层和第一绝缘层之间由与用于形成栅电极的材料相同的材料形成的第二保护层,其中,形成开口的第二保护层、第一绝缘层和第二绝缘层中的每个层的蚀刻表面处于同一平面。
12.如权利要求1所述的底板,其中,第一保护层、第一绝缘层和第二绝缘层形成暴露像素电极的上表面的开口,形成开口的第一保护层、第一绝缘层和第二绝缘层中的每个层的蚀刻表面处于同一平面。
13.如权利要求12所述的底板,所述底板还包括在第一保护层和第一绝缘层之间由与用于形成栅电极的材料相同的材料形成的第二保护层,其中,形成开口的第一保护层、第二保护层、第一绝缘层和第二绝缘层中的每个层的蚀刻表面处于同一平面。
14.如权利要求12所述的底板,所述底板还包括位于第二绝缘层上的电容器第三电极。
15.一种平板显示设备,所述平板显示设备包括:
如权利要求1所述的底板;
对电极,面对像素电极;以及
发光单元,形成在像素电极和对电极之间。
16.如权利要求15所述的平板显示设备,其中,对电极是反射从发光单元发射的光的反射电极。
17.如权利要求15所述的平板显示设备,其中,发光单元包括有机发光层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的