[发明专利]平板显示设备的底板、平板显示设备及制造该底板的方法有效

专利信息
申请号: 201210158797.9 申请日: 2012-05-21
公开(公告)号: CN102842582A 公开(公告)日: 2012-12-26
发明(设计)人: 郑棕翰;崔千基 申请(专利权)人: 三星显示有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L27/32;H01L21/77
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 刘灿强
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 平板 显示 设备 底板 制造 方法
【说明书】:

本申请要求于2011年5月20日在韩国知识产权局提交的第10-2011-0047944号韩国专利申请的权益,该申请的公开通过引用被全部包含于此。

技术领域

本公开涉及一种用于平板显示设备的底板、一种包括该底板的平板显示设备以及一种制造该用于平板显示设备的底板的方法。

背景技术

包括有机发光显示设备和液晶显示设备的平板显示设备形成在有源型底板上,所述底板包括形成在每个像素中的薄膜晶体管(TFT)和电容器,以实现高分辨显示。

因为氧化物半导体TFT具有高性能特性且能够在低温下被加工,所以氧化物半导体TFT被认为是能够应用到用于平板显示设备的底板的最优装置。然而,包括氧化物半导体TFT的用于平板显示设备的底板的制造工艺通常包括多个掩模工艺,从而增加了制造成本。

发明内容

为了解决上面和/或其他问题,本公开提供一种可以以简单工艺制造且具有高质量显示的用于平板显示设备的底板、一种包括所述底板的平板显示设备和一种制造所述底板的方法。

根据一方面,提供一种用于平板显示设备的底板,所述底板包括:基底;像素电极,位于基底上,并包括透明导电材料;电容器第一电极,与像素电极形成在同一层;第一保护层,覆盖像素电极的上边缘和电容器第一电极;薄膜晶体管(TFT)的栅电极,形成在第一保护层上;电容器第二电极,与栅电极形成在同一层;第一绝缘层,覆盖栅电极和电容器第二电极;半导体层,形成在第一绝缘层上且包括透明导电材料;第二绝缘层,覆盖半导体层;TFT的源电极和漏电极,形成在第二绝缘层上,其中,源电极和漏电极穿过第二绝缘层连接到半导体层,源电极和漏电极中的至少一个连接到像素电极;以及第三绝缘层,覆盖源电极和漏电极,并暴露像素电极。

电容器第一电极可由与用于形成像素电极的材料相同的材料形成。

透明导电材料可以是从由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO)组成的组中选取的至少一种。

像素电极还可包括半透明金属层。

半透明金属层可包括银(Ag)。

第一保护层可以是绝缘层。

电容器第二电极可以由与用于形成栅电极的材料相同的材料形成。

半导体层可包括从由镓Ga、铟In、锌Zn、铪Hf和锡Sn组成的组中选取的至少一种金属和氧O。

源电极和漏电极中的一个可以通过同时穿过第一保护层、第一绝缘层和第二绝缘层的通孔连接到像素电极。

第一保护层、第一绝缘层和第二绝缘层可形成暴露像素电极的上表面的开口,第一保护层形成的蚀刻表面与第一绝缘层和第二绝缘层形成的蚀刻表面可形成间隙。

底板还可包括在第一保护层和第一绝缘层之间由与用于形成栅电极的材料相同的材料形成的第二保护层,其中,形成开口的第二保护层、第一绝缘层和第二绝缘层中的每个层的蚀刻表面处于同一平面。

第一保护层、第一绝缘层和第二绝缘层可形成暴露像素电极的上表面的开口,形成开口的第一保护层、第一绝缘层和第二绝缘层中的每个层的蚀刻表面处于同一平面。

底板还可包括在第一保护层和第一绝缘层之间由与用于形成栅电极的材料相同的材料形成的第二保护层,其中,形成开口的第一保护层、第二保护层、第一绝缘层和第二绝缘层中的每个层的蚀刻表面处于同一平面。

底板还可包括位于第二绝缘层上的电容器第三电极。

根据另一方面,提供一种平板显示设备,该平板显示设备包括:上述的底板;对电极,面对像素电极;以及发光单元,形成在像素电极和对电极之间。

对电极可以是反射从发光单元发射的光的反射电极。

发光单元可包括有机发光层。

根据另一方面,提供一种制造用于平板显示设备的底板的方法,所述方法包括:通过第一掩模工艺在基底上形成像素电极和电容器第一电极;形成覆盖像素电极和电容器第一电极的第一保护层,并通过第二掩模工艺在第一保护层上形成电容器第二电极和TFT的栅电极;形成覆盖栅电极和电容器第二电极的第一绝缘层,并通过第三掩模工艺在与栅电极对应的位置上形成包括透明导电材料的半导体层;形成覆盖半导体层的第二绝缘层,并通过第四掩模工艺形成穿过第二绝缘层并暴露半导体层的一部分的接触孔并形成穿过第一保护层、第一绝缘层和第二绝缘层并暴露像素电极的一部分的通孔;通过第五掩模工艺形成覆盖接触孔和通孔的源电极和漏电极;以及形成覆盖源电极和漏电极的第三绝缘层,并通过第六掩模工艺在第三绝缘层中形成暴露像素电极的上表面的开口。

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