[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201210161920.2 | 申请日： | 2012-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN102800703A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 桥本史则 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 岳雪兰 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，具有基板和半导体芯片；
在该基板上形成有栅极电极分流用基板布线、基板源极布线及基板漏极布线；
该半导体芯片包括：
由指状电极构成的源极电极和漏极电极；
在所述源极电极与所述漏极电极之间，从所述指状电极的一端部延伸到另一端部的栅极电极；
经由形成于覆盖在所述栅极电极上的层间绝缘膜的接触孔与所述栅极电极的两端部连接的两个栅极引出电极；
覆盖在所述层间绝缘膜上的钝化膜；
在形成于所述钝化膜的开口部露出的所述栅极引出电极的一部分即栅极连接电极、所述源极电极的一部分即源极连接电极、所述漏极电极的一部分即漏极连接电极；
在所述栅极连接电极、所述源极连接电极及所述漏极连接电极上形成的突起电极；
所述基板的所述栅极电极分流用基板布线、所述基板源极布线及所述基板漏极布线分别经由所述突起电极与所述半导体芯片的所述栅极连接电极、所述源极连接电极及所述漏极连接电极连接。
2.一种半导体装置，其特征在于，具有基板和半导体芯片；
在该基板上形成有栅极电极分流用基板布线、基板源极布线及基板漏极布线；
该半导体芯片包括：
由指状电极构成的源极电极和漏极电极；
在所述源极电极与所述漏极电极之间，从所述指状电极的一端部延伸到另一端部的栅极电极；
经由形成于覆盖在所述栅极电极上的层间绝缘膜的接触孔，与所述栅极电极的两端部以及所述源极电极与所述漏极电极之间的多个栅极电极连接的多个栅极引出电极；
覆盖在所述层间绝缘膜上的钝化膜；
在形成于所述钝化膜的开口部露出的成为多个所述栅极引出电极的一部分的栅极连接电极、成为所述源极电极的一部分的源极连接电极、成为所述漏极电极的一部分的漏极连接电极；
在所述栅极连接电极、所述源极连接电极及所述漏极连接电极上形成的突起电极；
所述基板的所述栅极电极分流用基板布线、所述基板源极布线及所述基板漏极布线分别经由所述突起电极与所述半导体芯片的所述栅极连接电极、所述源极连接电极及所述漏极连接电极连接。
3.一种半导体装置，其特征在于，具有基板和半导体芯片；
在该基板上形成有栅极电极分流用基板布线、基板源极布线及基板漏极布线；
该半导体芯片包括：
由指状电极构成的源极电极和漏极电极；
在所述源极电极与所述漏极电极之间，从所述指状电极的一端部延伸到另一端部的栅极电极；
经由形成于覆盖在所述栅极电极上的层间绝缘膜的接触孔，与自所述指状电极两端部离开的中央区域的所述源极电极和所述漏极电极之间的一个或多个栅极电极连接的一个或多个栅极引出电极；
覆盖在所述层间绝缘膜上的钝化膜；
在形成于所述钝化膜的开口部露出的成为多个所述栅极引出电极的一部分的栅极连接电极、成为所述源极电极的一部分的源极连接电极、成为所述漏极电极的一部分的漏极连接电极；
在所述栅极连接电极、所述源极连接电极及所述漏极连接电极上形成的突起电极；
所述基板的所述栅极电极分流用基板布线、所述基板源极布线及所述基板漏极布线分别经由所述突起电极与所述半导体芯片的所述栅极连接电极、所述源极连接电极及所述漏极连接电极连接。
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