[发明专利]LDMOS晶体管及制造方法有效
| 申请号： | 201210162451.6 | 申请日： | 2012-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN103426927B | 公开（公告）日： | 2016-04-13 |
| 发明（设计）人： | 杨文清;邢军军;赵施华 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/36;H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王江富 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ldmos 晶体管 制造 方法 | ||
1.一种LDMOS晶体管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
一.在P外延中形成一P阱及一N阱；
二.进行位于所述P阱上的作为源极的N+区，以及位于所述N阱上的 作为漏极的N+区的光刻胶涂胶、显影；
三.进行位于所述P阱上的作为源极的N+区，以及位于所述N阱上的 作为漏极的N+区的N离子注入；
四.进行位于所述P阱上的作为源极的N+区的下方的低阻P+区的P离 子注入；
五.去除光刻胶并清洗；
六.进行位于所述P阱上的作为P阱接地极的P+区的光刻胶涂胶、显 影，P阱接地极的P+区与作为源极的N+区邻接并位于远离所述N阱的一侧；
七.进行位于所述P阱上的作为P阱接地极的P+区的P离子注入；
八.进行位于所述P阱上的作为P阱接地极的P+区的下方的低阻P+区 的P离子注入；
九.进行后续工艺。
2.根据权利要求1所述的LDMOS晶体管的制造方法，其特征在于，
所述P离子为硼离子；
步骤四中，硼离子注入的剂量在1e14到5e15/cm2之间，能量在20KeV 到50Kev之间；
步骤七中，硼离子注入的剂量在1e15到5e15/cm2之间，能量在10KeV 到20Kev之间；
步骤八中，硼离子注入的剂量在1e14到5e15/cm2之间，能量在20KeV 到50Kev之间。
3.根据权利要求1所述的LDMOS晶体管的制造方法，其特征在于，
所述N离子为砷离子；
步骤三中，砷离子注入的剂量在1e15到5e15/cm2之间，能量在60KeV到 80Kev之间。
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