[发明专利]半导体装置及其制造方法、显示装置和电子装置无效
申请号: | 201210162821.6 | 申请日: | 2012-05-23 |
公开(公告)号: | CN102810543A | 公开(公告)日: | 2012-12-05 |
发明(设计)人: | 永泽耕一;池田雅延;村田康博 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/522;G09F9/33;H01L21/77 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 及其 制造 方法 显示装置 电子 | ||
1.一种半导体装置,包括:
下层侧的第一导电体和上层侧的第二导电体;
厚膜绝缘层,设置在所述第一导电体和所述第二导电体之间;以及
接触部,被形成为仿效对于所述绝缘层的通孔的内表面形状并且电连接所述第一导电体和所述第二导电体,
其中,所述通孔的锥度角是锐角。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述锥度角大于0°且小于等于75°。
3.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述通孔的纵横比为0.42以上。
4.根据权利要求3所述的半导体装置,其中,所述绝缘层的膜厚度至少在所述接触部的形成区域附近为3μm以上。
5.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述第一导电膜是半导体元件的电极。
6.根据权利要求5所述的半导体装置,其中,所述半导体元件是薄膜晶体管。
7.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述锥度角是所述第一导电体的表面与所述通孔的壁面所成的角。
8.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述接触部是通过溅射法形成的。
9.一种显示装置,包括显示单元和半导体电路单元,
其中,所述半导体电路单元包括:
下层侧的第一导电体和上层侧的第二导电体;
厚膜绝缘层,设置在所述第一导电体和所述第二导电体之间;以及
接触部,被形成为仿效对于所述绝缘层的通孔的内表面形状并且电连接所述第一导电体和所述第二导电体,并且
所述通孔的锥度角是锐角。
10.根据权利要求9所述的显示装置,
其中,所述显示单元设置在有效显示区域中,以及
所述半导体电路单元设置在所述有效显示区域和框区域中的至少一个区域中,其中,所述框区域位于所述有效显示区域的外边缘。
11.根据权利要求10所述的显示装置,
其中,所述显示单元具有包括多个像素电路的多个像素,
外围电路形成在所述框区域中,以及
所述半导体电路单元设置在所述像素电路和所述外围电路中。
12.根据权利要求9所述的显示装置,所述显示装置具有触摸传感器功能。
13.根据权利要求9所述的显示装置,其中,使用液晶元件或有机EL元件构成所述显示单元。
14.一种电子装置,包括具有显示单元和半导体电路单元的显示装置,
其中,所述半导体电路单元包括:
下层侧的第一导电体和上层侧的第二导电体;
厚膜绝缘层,设置在所述第一导电体和所述第二导电体之间;以及
接触部,被形成为仿效对于所述绝缘层的通孔的内表面形状并且电连接所述第一导电体和所述第二导电体,并且
所述通孔的锥度角是锐角。
15.一种半导体装置的制造方法,包括:
在基板上形成第一导电体;
在所述第一导电体上形成厚膜绝缘层;
在所述绝缘层中形成通孔,所述通孔的锥度角是锐角;
以仿效所述通孔的内表面形状的方式形成与所述第一导电体电连接的接触部;以及
在所述绝缘层上形成第二导电体,所述第二导电体通过所述接触部与所述第一导电体电连接。
16.根据权利要求15所述的半导体装置的制造方法,其中,所述通孔通过使用半色调曝光的光刻技术形成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司,未经索尼公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210162821.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种带数字输出的电流采样线性互感器
- 下一篇:电子设备及其触摸控制方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的