[发明专利]半导体装置及其制造方法、显示装置和电子装置

说明书

技术领域

本公开涉及一种具有使导电体相互电连接的接触部的半导体装置及其制造方法，以及设置有这种半导体装置（半导体电路部）的显示装置和电子装置。

背景技术

迄今，例如，已开发了使用多种液晶元件和有机EL（电致发光）元件的显示元件的显示装置。通常，在这种显示装置中，外围电路布置在位于具有多个像素的显示区域（有效显示区域）的外边缘（外周）的框区域（非显示区域）中。此外，使用半导体装置（薄膜晶体管（TFT）的半导体元件等）构造在这些像素的每一个之间的像素电路和外围电路。通常，在这种半导体装置（半导体电路部）中，在绝缘层（电介质层）中形成用于使导电体相互电连接的接触部（例如，参考日本未审查专利申请公开第6-242433号，日本未审查专利申请公开第11-125831号，以及日本未审查专利申请公开第2002-98995号）。

发明内容

此处，在上述接触部中，当出现了断开（连接缺陷）或电阻值（接触电阻）增加时，电气连接劣化并且在制造过程中的产量下降。因此，存在对提议能够比以前更可靠地在接触部中进行电气连接并且提高可靠性的方法的需求。

期望提供一种能够提高可靠性的半导体装置及其制造方法、显示装置和电子装置。

本公开的实施方式的半导体装置，包括：下层侧的第一导电体和上层侧的第二导电体；厚膜绝缘层，设置在第一导电体和第二导电体之间；以及接触部，被形成为仿效对于绝缘层的通孔的内表面形状并且将第一导电体和第二导电体电连接，其中，通孔的锥度角是锐角。

本公开的实施方式的半导体装置的制造方法，包括：在基板上形成第一导电体；在第一导电体上形成厚膜绝缘层；形成通孔，在通孔中锥度角是在绝缘层中的锐角；形成接触部，接触部与第一导电体电连接从而仿效通孔的内表面形状；以及形成第二导电体，第二导电体通过绝缘层上的接触部与第一导电体电连接。

本公开的实施方式的显示装置，设置有上述本公开的半导体装置（半导体电路单元）和显示单元。

本公开的实施方式的电子装置，设置有上述本公开的显示装置。

在本公开实施方式的半导体装置及其制造方法、以及显示装置和电子装置中，形成将第一导电体和第二导电体电连接的接触部从而仿效通孔的内表面形状，对于通孔来说锥度角相对于绝缘层是锐角。按照这种方式，即使绝缘层具有厚膜形状，也提高了接触部的通孔内表面的覆盖特性，可以抑制接触部中的断开（连接缺陷）或电阻值（接触电阻）的增加。

根据本公开实施方式的半导体装置及其制造方法、显示装置和电子装置，由于形成将第一导电体和第二导电体电连接的接触部从而仿效通孔的内表面形状，对于通孔来说锥度角是相对于绝缘层的锐角，即使绝缘层具有厚膜形状，也能够抑制接触部中的断开或电阻值的增加。因此，能够更可靠地在接触部中进行电连接，并且提高可靠性。

附图说明

图1A和图1B是用于描述结合了触摸传感器的显示装置的操作原理的示图，并且示出了未与手指接触时的状态。

图2A和图2B是用于描述结合了触摸传感器的显示装置的操作原理的示图，并且示出了与手指接触时的状态。

图3A和图3B是用于描述结合了触摸传感器的显示装置的操作原理的示图，并且示出了触摸传感器的驱动信号和检测信号的波形的实例。

图4是表示设置有根据本公开的实施方式的半导体装置（半导体电路部）的显示装置（即，结合了触摸传感器的显示装置）的示意性构造实例的截面图。

图5是示出图4所示的显示装置的主体部（用于传感器的公共电极和检测电极）的构成实例的透视图。

图6是表示图4所示的显示装置中的驱动器的详细结构和像素结构的实例的框图。

图7是表示图4所示的显示装置中的驱动器的详细构造和像素结构的另一实例的框图。

图8是示出了图4所示的显示装置中的检测电路的实例的电路图。

图9是表示图4所示的显示装置中的详细构成实例的截面图。

图10是用于描述图9中所示的接触部的纵横比和锥度角的示意图。

图11是用于描述在后烘烤（post baking）之前和之后的平坦化膜（planarized film）的形状的示意性截面图。

图12A和图12B是表示使用半色调曝光（halftone exposure）的接触部形成方法的实例的截面图。

图13A和图13B是表示接触部的纵横比和锥度角与接触电阻之间的关系的实例的特性图。

图14A和图14B是表示根据比较例的接触部的构成的截面图。