[发明专利]晶片边缘清洗装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种晶片清洗装置，尤其涉及一种晶片边缘清洗装置。

背景技术

在半导体器件的制造过程中，半导体晶片要经受例如掩膜、刻蚀、淀积以及清洗等工艺处理，由此来形成半导体器件所需的电子电路。随着半导体器件尺寸的逐渐变小，去除晶片表面的污染物变得愈来愈重要，从而使得清洗工艺在半导体器件的制造过程中变得十分关键。晶片每经受一次工艺处理之后，都需要被清洗。但常规的清洗工艺只能去除晶片中心区域的污染物，而不能有效去除晶片边缘的污染物。而晶片边缘的污染物如果得不到很好的去除，将会导致至少两方面的危害：一是晶片边缘的污染物如金属离子会扩散到晶片中心区域，进而污染整个晶片，从而降低半导体器件的制造良率；二是晶片边缘的污染物会通过边缘夹、晶片夹以及晶片盒等的使用而转移到其它晶片上，造成对其它晶片的污染。

为了有效去除晶片边缘的污染物，各种清洗晶片边缘的装置应运而生。例如美国专利号5868857公开一种名为“旋转带晶片边缘清洗装置”，该晶片边缘清洗装置利用旋转带按压晶片的边缘，旋转带转动时，旋转带与晶片的边缘之间产生摩擦力，通过摩擦力去除晶片边缘的污染物。该晶片边缘清洗装置采用机械结构的方式去除晶片边缘的污染物，而此种方式容易对晶片造成物理损伤。

为了克服上述技术问题，通常采用化学液体清洗晶片的边缘。例如美国专利号6691719公开一种名为“用于晶片边缘清洗的可调整的喷嘴”，该晶片边缘清洗装置利用喷嘴喷射化学液体到晶片的边缘，化学液体与晶片边缘的污染物发生化学反应，从而去除晶片边缘的污染物。在清洗过程中，晶片往往通过边缘夹而定位在晶片夹盘上以便清洗，晶片夹盘带动晶片旋转时，化学液体会喷射到边缘夹上，从而造成化学液体的飞溅，当化学液体飞溅到晶片的中心区域时，会损伤晶片中心区域的图形，同时，化学液体的飞溅也为化学液体的回收增加了难度。

发明内容

本发明的目的是提供一种能阻止清洗液飞溅并有利于清洗液回收的晶片边缘清洗装置。

为实现上述目的，本发明晶片边缘清洗装置包括一支撑臂、一连接部、一固持部、一喷嘴及一阻挡罩。所述支撑臂具有相对的第一端和第二端。所述连接部的一端与所述支撑臂的第一端活动连接。所述固持部设置在所述连接部的另一端。所述喷嘴安装在所述固持部上。所述阻挡罩具有一底壁、后壁及两侧壁，所述底壁、后壁及两侧壁围成一收容空间收容所述固持部及安装其上的喷嘴，所述底壁的边缘凸伸形成一与所述后壁平行的挡板，所述底壁的两侧靠近侧壁处分别开设有一导流槽。

综上所述，本发明晶片边缘清洗装置清洗一晶片的边缘时，该晶片边缘清洗装置设置在所述晶片的边缘的上方。所述晶片放置在一可旋转的晶片夹盘上。若干边缘夹均匀分布在所述晶片夹盘的边缘并将所述晶片固定在所述晶片夹盘上。所述喷嘴向所述晶片边缘喷射清洗液，所述晶片夹盘带动所述晶片旋转，所述阻挡罩的后壁和两侧壁阻挡从所述边缘夹反溅回来的清洗液，从而阻止清洗液飞溅到所述晶片的中心区域而对所述晶片中心区域的图形造成损伤。清洗液沿着所述阻挡罩的后壁和两侧壁流入所述两导流槽内，方便了清洗液的回收。

附图说明

图1是本发明晶片边缘清洗装置的立体示意图。

图2是本发明晶片边缘清洗装置移除阻挡罩后的立体示意图。

图3是本发明晶片边缘清洗装置的阻挡罩的立体示意图。

具体实施方式

为详细说明本发明的技术内容、构造特征、所达成目的及功效，下面将结合实施例并配合图式予以详细说明。

请参阅图1、图2及图3，为本发明晶片边缘清洗装置的一实施例的示意图。该晶片边缘清洗装置设置在一晶片W的边缘的上方。该晶片W放置在一可旋转的晶片夹盘10上。若干边缘夹20均匀分布在所述晶片夹盘10的边缘并将所述晶片W固定在所述晶片夹盘10上。