[发明专利]锆镱钬三掺杂铌酸锂晶体高上转换发光材料及其制备方法无效
申请号: | 201210165698.3 | 申请日: | 2012-05-25 |
公开(公告)号: | CN102676167A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | 范叶霞;夏士兴;俞泽民 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨理工大学 |
主分类号: | C09K11/78 | 分类号: | C09K11/78;C30B29/30;C30B15/20 |
代理公司: | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人: | 韩末洙 |
地址: | 150080 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 锆镱钬三 掺杂 铌酸锂 晶体 转换 发光 材料 及其 制备 方法 | ||
1.锆镱钬三掺杂铌酸锂晶体高上转换发光材料,其特征在于所述锆镱钬三掺杂铌酸锂晶体高上转换发光材料由Li2CO3、Nb2O5、ZrO2、Yb2O3和Ho2O3制成,锆镱钬三掺杂铌酸锂晶体高上转换发光材料中Li元素与Nb元素的摩尔比为0.946∶1,Yb元素的摩尔百分含量为1%,Ho元素的摩尔百分含量为1%,Zr元素的摩尔百分含量为0~6%。
2.根据权利要求1所述锆镱钬三掺杂铌酸锂晶体高上转换发光材料,其特征在于所述Li2CO3、Nb2O5、ZrO2、Yb2O3及Ho2O3的纯度均为99.999%。
3.根据权利要求1所述锆镱钬三掺杂铌酸锂晶体高上转换发光材料,其特征在于所述Zr元素的摩尔百分含量为2%。
4.根据权利要求1所述锆镱钬三掺杂铌酸锂晶体高上转换发光材料,其特征在于所述Zr元素的摩尔百分含量为4%。
5.根据权利要求1所述锆镱钬三掺杂铌酸锂晶体高上转换发光材料,其特征在于所述Zr元素的摩尔百分含量为6%。
6.权利要求1所述锆镱钬三掺杂铌酸锂晶体高上转换发光材料的制备方法,其特征在于锆镱钬三掺杂铌酸锂晶体高上转换发光材料的制备方法如下:
一、按照锆镱钬三掺杂铌酸锂晶体高上转换发光材料中Li元素与Nb元素的摩尔比为0.946∶1、Yb元素的摩尔百分含量为1%、Ho元素的摩尔百分含量为1%、Zr元素的摩尔百分含量为0~6%的比例称取Li2CO3、Nb2O5、ZrO2、Yb2O3和Ho2O3;
二、将步骤一称取的Li2CO3、Nb2O5、ZrO2、Yb2O3和Ho2O3充分混合24小时,得混合料;
三、原料的预烧结:将混合料放入铂坩埚中,在升温速度为500℃/h的条件下,升温至900℃~1000℃,然后恒温3小时,烧结成多晶;
四、引晶、放肩:将籽晶降到与料浆液面接触后进行缩颈,把籽晶缩细到直径为2mm~3mm,然后在籽晶杆旋转速度为15r/min~16r/min、提拉速度为0.2mm/h~1.0mm/h的条件下向上提拉,向上提拉的同时以1℃/h~2℃/h的降温速度斜放肩生长1h~2h,放肩至肩宽为20mm,收肩;
五、等径生长:在降温速率为0.2℃/h~1℃/h、提拉速度为0.2mm/h~1.0mm/h、轴向温度梯度为3℃/mm~5℃/mm的条件下进行等径生长,至晶体长到长度为20mm,然后以100℃/h的降温速度降至室温;
六、晶体的极化处理:在温度为1200℃~1220℃、极化电流为5mA/cm2的条件下通电30min,即得锆镱钬三掺杂铌酸锂晶体高上转换发光材料。
7.根据权利要求6所述锆镱钬三掺杂铌酸锂晶体高上转换发光材料的制备方法,其特征在于步骤三中升温至950℃。
8.根据权利要求6所述锆镱钬三掺杂铌酸锂晶体高上转换发光材料的制备方法,其特征在于步骤四中在籽晶杆旋转速度为15r/min、提拉速度为0.5mm/h的条件下向上提拉。
9.根据权利要求6所述锆镱钬三掺杂铌酸锂晶体高上转换发光材料的制备方法,其特征在于步骤四中向上提拉的同时以1.5℃/h的降温速度斜放肩生长。
10.根据权利要求6所述锆镱钬三掺杂铌酸锂晶体高上转换发光材料的制备方法,其特征在于步骤五中在降温速率为0.5℃/h、提拉速度为0.5mm/h、轴向温度梯度为4℃/mm的条件下进行等径生长。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨理工大学,未经哈尔滨理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210165698.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。