[发明专利]N型双面背接触晶体硅太阳能电池的制备方法有效
| 申请号： | 201210166816.2 | 申请日： | 2012-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN102694069A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 王登志;殷涵玉;王栩生;章灵军 | 申请（专利权）人： | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯（中国）投资有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 陶海锋;陆金星 |
| 地址： | 215129 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 双面 接触 晶体 太阳能电池 制备 方法 | ||
1.一种N型双面背接触晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1) 在N型硅片的正面和背面进行制绒；
(2) 在上述硅片的正面和背面均设置氧化膜；
(3) 在硅片的背面印刷腐蚀浆料，腐蚀去除位于硅片背面的非通孔方块区域的氧化膜；所述硅片背面的通孔方块区域包括硅片背面的孔及孔的周围区域；
(4) 在硅片的背面进行扩磷，形成扩磷层；
(5) 在硅片上开孔；
(6) 刻蚀周边结、去除硅片正面和背面的阻挡层、清洗；
(7) 在硅片的正面和孔内进行扩硼，形成扩硼层；
(8) 刻蚀周边结；去除硅片表面的杂质玻璃；
(9) 在硅片的正面和背面设置钝化减反射膜；
(10) 在孔内设置孔金属电极；双面印刷金属电极，烧结；即可得到N型双面背接触晶体硅太阳能电池。
2.根据权利要求1所述的N型双面背接触晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中的氧化膜为二氧化硅膜或氮化硅膜，其厚度为40~200 nm。
3.根据权利要求1所述的N型双面背接触晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述步骤(3)中的腐蚀浆料的主要成分为氟化氢铵或磷酸。
4.根据权利要求3所述的N型双面背接触晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于：以氟化氢铵为主要成分的腐蚀浆料的腐蚀温度为室温，腐蚀时间为100~600 s。
5.根据权利要求3所述的N型双面背接触晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于：以磷酸为主要成分的腐蚀浆料的腐蚀温度为200~400℃，腐蚀时间为200~600 s。
6.根据权利要求1所述的N型双面背接触晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述步骤(5)的打孔步骤位于所述步骤(4)和步骤(10)之间的任意位置。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯（中国）投资有限公司，未经苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯（中国）投资有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
