[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201210167850.1 | 申请日: | 2012-05-25 |
公开(公告)号: | CN102983151B | 公开(公告)日: | 2017-03-01 |
发明(设计)人: | 吴在焕;张荣真;陈圣铉;朴世勳;李俊雨;金广海;崔锺炫;郑宽旭;李源规;崔宰凡 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司11204 | 代理人: | 余朦,姚志远 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.有机发光显示装置,包括:
有机发光设备,所述有机发光设备包括第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层、像素电极、相对电极和有机发射层,所述第一绝缘层设置在衬底上,所述第二绝缘层设置在所述第一绝缘层上且包括不平坦部分,所述第三绝缘层设置在所述第二绝缘层上,所述像素电极设置在所述第三绝缘层上,所述相对电极设置为面向所述像素电极,所述有机发射层设置在所述像素电极和所述相对电极之间;
薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括有源层、栅电极、源电极和漏电极,所述有源层设置在所述衬底上,所述栅电极设置为与所述有源层绝缘,所述源电极和漏电极连接至所述有源层,其中所述第一绝缘层设置在所述有源层和所述栅电极之间,所述第二绝缘层设置在所述栅电极与所述源电极和漏电极之间;以及
电容器,所述电容器包括下电极、上电极和介电层,所述下电极设置在与所述栅电极相同的层上,所述上电极设置在与所述像素电极相同的层上,所述介电层由与所述第三绝缘层相同的材料形成且设置在所述下电极和所述上电极之间。
2.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中:
所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第三绝缘层顺序地设置在所述衬底和所述像素电极之间,以及
所述第一绝缘层至第三绝缘层的至少两个具有不同的折射率。
3.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中:
所述不平坦部分包括多个凹部和位于所述多个凹部之间的多个凸部,以及
在与所述多个凹部对应的区域中,完全蚀刻所述第二绝缘层。
4.如权利要求3所述的有机发光显示装置,其中,沿着与所述多个凹部对应的所述区域中的所述第二绝缘层的蚀刻表面,蚀刻所述第一绝缘层,从而延伸所述凹部。
5.如权利要求3所述的有机发光显示装置,还包括设置在所述衬底和所述第一绝缘层之间的缓冲层。
6.如权利要求5所述的有机发光显示装置,其中,所述缓冲层的折射率与所述第一绝缘层的折射率不同。
7.如权利要求5所述的有机发光显示装置,其中,沿着与所述多个凹部对应的所述区域中的所述第二绝缘层的蚀刻表面,蚀刻所述第一绝缘层和所述缓冲层,从而形成延伸的凹部。
8.如权利要求7所述的有机发光显示装置,其中,设置在所述延伸的凹部之间的凸部的高度等于或大于0.5μm。
9.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述第三绝缘层的厚度小于所述第二绝缘层的厚度。
10.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述第三绝缘层的介电常数大于所述第一绝缘层的介电常数。
11.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述像素电极包括选自氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌、氧化铟、氧化铟镓和氧化铝锌中的至少一种透明传导材料。
12.如权利要求11所述的有机发光显示装置,其中,所述像素电极还包括半透明金属层。
13.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述像素电极和所述第三绝缘层具有相同的蚀刻表面。
14.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述上电极和所述介电层具有相同的蚀刻表面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的