[发明专利]半导体器件制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件制造方法，用于制造具有外延生长源漏区域的晶体管，其特征在于包括如下步骤：

提供半导体衬底，在该半导体衬底上形成STI结构，并进行阱区注入；

形成栅极绝缘层、栅极，定义栅极图形；

形成虚设间隙壁，其覆盖在所述栅极的侧壁上；

形成源漏区域沟槽；

外延生长源漏区域扩散阻挡层，其位于所述源漏区域沟槽的侧壁和底部；

外延生长源漏区域，其向晶体管沟道区域提供应力；

形成源漏间隙壁；

进行退火处理，形成源漏区域；

在所述源漏区域上形成金属硅化物，其作为所述源漏极的接触。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述源漏区域扩散阻挡层厚度

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述源漏区域扩散阻挡层厚度优选为

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述源漏区域扩散阻挡层的材料为硅碳(Si:C)或锗硅碳(SiGe:C)。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述源漏区域扩散阻挡层中碳的掺杂浓度为1e12cm^-3-1e22cm^-3。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述源漏区域扩散阻挡层中碳的掺杂浓度优选为5e19cm^-3。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述源漏区域扩散阻挡层为直接外延生长硅碳(Si:C)或锗硅碳(SiGe:C)，或者，先生长部分外延硅缓冲层后再生长硅碳(Si:C)或锗硅碳(SiGe:C)。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述源漏区域沟槽的工艺包括干法刻蚀，湿法刻蚀，或者两者的结合。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成栅极绝缘层、栅极的步骤中，所述栅极的材料为多晶硅，并且，采用后栅工艺，即，在形成所述金属硅化物之后，去除多晶硅材料的所述栅极，形成栅极空洞，在该栅极空洞中填充金属，从而形成金属栅极。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成栅极绝缘层、栅极的步骤中，采用先栅工艺，即，所述栅极的材料为金属。

11.根据权利要求9或10所述的方法，其特征在于，所述半导体器件制造方法适用于高k/金属栅先栅与后栅集成工艺。

12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成栅极图形之后和外延生长源漏区域之前，进行LDD掺杂，并且不执行HALO工艺或者执行剂量比常规HALO工艺更小的HALO工艺。

13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在外延生长源漏区域之后和形成源漏间隙壁之前，进行LDD掺杂，并执行剂量比常规HALO工艺剂量更小的HALO工艺。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，在进行LDD掺杂之前，去除所述虚设间隙壁，形成偏移间隙壁，从而定义LDD区域。

15.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，在进行LDD掺杂之前，不去除所述虚设间隙壁，利用所述虚设间隙壁定义LDD区域。

16.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，执行剂量比常规HALO工艺剂量更小的HALO工艺中，所执行的HALO工艺剂量小于1e13cm^-3。

17.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对于NMOS，所述源漏区域扩散阻挡层用于防止所述源漏区域注入的磷离子的扩散。

18.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对于PMOS，所述源漏区域扩散阻挡层用于防止所述源漏区域注入的硼离子的扩散。