[发明专利]一种非易失性存储器差分存储格的方法和装置

权利要求书

1.一种非易失性存储器差分存储单元处理数据的方法，其特征在于，所述非易失性存储器包括若干存储块；所述存储块包括若干存储单元、一个源极选通管和一个漏极选通管，所述一个存储单元对应一个字线；

所述的方法，包括：

选取两个存储块，将两个存储块中同一字线上的存储单元并联，生成存储位；

将1比特数据存储在一个存储位中。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

根据所述1比特数据的逻辑值调整所述存储位中对应存储单元的阈值电压，将所述1比特数据写入所述存储位；

在字线上施加特性电压，判断所述字线上存储位中存储单元阈值电压值，读取所述存储位中的数据。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述选取两个存储块，将两个存储块中同一字线上的存储单元并联，生成存储位的步骤包括：

选定第一存储块设置为第一存储块，对应位线设定为奇数位线；

选定第一存储块相邻的一个存储块设置为第二存储块，对应位线设定为偶数位线；

将所述第一存储块和第二存储块同一字线上的存储单元并联，生成存储位。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述将1比特数据存储在一个存储位中的步骤包括：

将所述存储位的阈值电压差异比所述存储单元至少增大一倍；

所述存储位中两个存储单元阈值电压的差异表征所述1比特数据。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述根据1比特数据的逻辑值调整所述存储位中对应存储单元的阈值电压，将所述1比特数据写入所述存储位的步骤包括：

抬升所述存储位中偶数位线存储单元的阈值电压，表征逻辑值为1的1比特数据；

抬升所述存储位中奇数位线存储单元的阈值电压，表征逻辑值为0的1比特数据。

6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在字线上施加特性电压，判断所述字线上存储位中存储单元阈值电压值，读取所述存储位中的数据的步骤包括：

将所述特性电压和所述存储位中存储单元阈值电压比较，判断所述奇数位线存储单元和偶数位线存储单元阈值电压的大小；

在所述阈值电压大的存储单元中读取对应数据。

7.一种非易失性存储器差分存储单元处理数据的装置，其特征在于，所述非易失性存储器包括若干存储块；所述存储块包括若干存储单元、一个源极选通管和一个漏极选通管，所述一个存储单元对应一个字线；

所述的装置，包括：

存储位生成模块，用于选取两个存储块，将两个存储块中同一字线上的存储单元并联，生成存储位；

数据存储模块，用于将1比特数据存储在一个存储位中。

8.如权利要求7所述的装置，其特征在于，还包括：

数据写入模块，用于根据所述1比特数据的逻辑值调整所述存储位中对应存储单元的阈值电压，将所述1比特数据写入所述存储位；

数据读取模块，用于在字线上施加特性电压，判断所述字线上存储位中存储单元阈值电压值，读取所述存储位中的数据。

9.如权利要求8所述的装置，其特征在于，所述存储位生成模块包括：

奇数位线设置子模块，用于选定第一存储块设置为第一存储块，对应位线设定为奇数位线；

偶数位线设置子模块，用于选定第一存储块相邻的一个存储块设置为第二存储块，对应位线设定为偶数位线；

存储单元并联子模块，用于将所述第一存储块和第二存储块同一字线上的存储单元并联，生成存储位。

10.如权利要求9所述的装置，其特征在于，所述数据存储模块包括：

阈值电压差异增加子模块，用于将所述存储位的阈值电压差异比所述存储单元至少增大一倍；

阈值电压表征子模块，用于所述存储位中两个存储单元阈值电压的差异表征所述1比特数据。

11.如权利要求10所述的装置，其特征在于，所述数据写入模块包括：

偶数位线电压抬升子模块，用于抬升所述存储位中偶数位线存储单元的阈值电压，表征逻辑值为1的1比特数据；

奇数位线电压抬升子模块，用于抬升所述存储位中奇数位线存储单元的阈值电压，表征逻辑值为0的1比特数据。

12.如权利要求11所述的装置，其特征在于，所述数据读取模块包括：

阈值电压判断子模块，用于将所述特性电压和所述存储位中存储单元阈值电压比较，判断所述奇数位线存储单元和偶数位线存储单元阈值电压的大小；

存储单元选取子模块，用于在所述阈值电压大的存储单元中读取对应数据。