[发明专利]一种非易失性存储器差分存储格的方法和装置

说明书

技术领域

本申请涉及数据存储的技术领域，特别是涉及一种非易失性存储器差分存储格的方法，以及，一种非易失性存储器差分存储格的装置。 

背景技术

NAND Flash：是flash内存的一种。其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。 

NOR Flash：是flash内存的一种。特点是芯片内执行(XIP，eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM（随机存储器）中。 

NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。 

flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。 

由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。 

执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距，这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。 

1、NOR的读速度比NAND快一些。 

2、NAND的写入速度比NOR快很多。 

3、NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。 

4、大多数写入操作需要先进行擦除操作。 

5、NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。 

并且，传统NOR Flash在工艺演进到65nm后很难继续开发新的工艺 节点，而NAND Flash则已经演进到30nm以下。如此用NAND Flash取代NOR Flash在单位成本上有明显的优势，并且能够实现单芯片更大的存储容量，但是NAND Flash相比NOR Flash在读速度上还是不足。 

因此，本领域技术人员迫切需要解决的问题是：提供一种非易失性存储器差分存储格的方法和装置，用以提高NAND Flash的读速度，为NAND Flash取代NOR Flash，降低flash内存的单位成本，并且能够实现单芯片更大的存储容量创造条件。 

发明内容

本申请所要解决的技术问题是提供一种非易失性存储器差分存储格的方法，用以提高NAND Flash的读速度，为NAND Flash取代NOR Flash，降低flash内存的单位成本，并且能够实现单芯片更大的存储容量创造条件。 

相应的，本申请还提供了一种非易失性存储器差分存储格的装置，用以保障上述方法在实际中的应用。 

为了解决上述问题，本申请公开了一种非易失性存储器差分存储单元处理数据的方法，所述非易失性存储器包括若干存储块；所述存储块包括若干存储单元、一个源极选通管和一个漏极选通管，所述一个存储单元对应一个字线； 

所述的方法，具体可以包括： 

选取两个存储块，将两个存储块中同一字线上的存储单元并联，生成存储位； 

将1比特数据存储在一个存储位中。 

优选的是，所述的方法，还可以包括： 

根据所述1比特数据的逻辑值调整所述存储位中对应存储单元的阈值电压，将所述1比特数据写入所述存储位； 

在字线上施加特性电压，判断所述字线上存储位中存储单元阈值电压值，读取所述存储位中的数据。 

优选的是，所述选取两个存储块，将两个存储块中同一字线上的存储单元并联，生成存储位的步骤可以包括： 

选定第一存储块设置为第一存储块，对应位线设定为奇数位线； 

选定第一存储块相邻的一个存储块设置为第二存储块，对应位线设定为偶数位线； 

将所述第一存储块和第二存储块同一字线上的存储单元并联，生成存储位。 

优选的是，所述将1比特数据存储在一个存储位中的步骤可以包括： 

将所述存储位的阈值电压差异比所述存储单元至少增大一倍； 

所述存储位中两个存储单元阈值电压的差异表征所述1比特数据。 

优选的是，所述根据1比特数据的逻辑值调整所述存储位中对应存储单元的阈值电压，将所述1比特数据写入所述存储位的步骤可以包括： 

抬升所述存储位中偶数位线存储单元的阈值电压，表征逻辑值为1的1比特数据；