[发明专利]一种Nand-flash 存储器写操作的方法和装置

权利要求书

1.一种Nand-flash存储器写操作的方法，其特征在于，所述Nand-flash中包括存储阵列；所述的方法，包括：

接收写操作指令，所述写操作指令中包括目标数据和目标地址；

根据所述目标地址将需要执行写操作的page数据读取到缓存器中；

将所述目标数据和page数据更新生成目标page数据；

对存储所述page数据所在的存储阵列进行擦除，将目标page数据编写到所述存储阵列中；

对所述目标page数据进行ECC检测。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述存储阵列包括存储单元；所述的方法，还包括：

使用wear level算法选取所述存储单元；

用相邻的两个存储单元表征一比特数据。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据目标地址将需要执行写操作的page数据读取到缓存器中的步骤包括：

根据目标地址在所述存储阵列中查询，获取对应数据；

将所述对应数据所属的page数据读取到缓存器中。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述将目标数据和page数据更新生成目标page数据的步骤包括：

将所述目标数据替换所述对应数据；

所述page数据中的非对应数据保留不变。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述对目标page数据进行ECC检测的步骤包括：

对所述目标page数据中更新的目标数据进行奇偶校验；

对编写到所述存储阵列中的目标page数据再次进行奇偶校验。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述使用wear level算法选取所述存储单元的步骤包括：

计算所述存储单元的使用频率；

将使用频率低的存储单元设置为优先使用的存储单元。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述用相邻的两个存储单元表征一比特数据的步骤包括：

将同一字线的存储单元两两并联，生成存储位；

将一比特数据存储在一个存储位中。

8.一种Nand-flash存储器写操作的装置，其特征在于，所述Nand-flash中包括存储阵列；所述的装置，包括：

指令接收模块，用于接收写操作指令，所述写操作指令中包括目标数据和目标地址；

Page数据读取模块，用于根据所述目标地址将需要执行写操作的page数据读取到缓存器中；

目标page数据生成模块，用于将所述目标数据和page数据更新生成目标page数据；

目标page数据写入模块，用于对存储所述page数据所在的存储阵列进行擦除，将目标page数据编写到所述存储阵列中；

ECC检测模块，用于对所述目标page数据进行ECC检测。

9.如权利要求8所述的装置，其特征在于，所述存储阵列包括存储单元；所述的装置，还包括：

存储单元选取模块，用于使用wear level算法选取所述存储单元；

数据存储模块，用于用相邻的两个存储单元表征一比特数据。

10.如权利要求9所述的装置，其特征在于，所述Page数据读取模块包括：

对应数据获取子模块，用于根据目标地址在所述存储阵列中查询，获取对应数据；

page数据缓存子模块，用于将所述对应数据所属的page数据读取到缓存器中。

11.如权利要求10所述的装置，其特征在于，所述目标page数据生成模块包括：

对应数据替换子模块，用于将所述目标数据替换所述对应数据；

非对应数据保留保留子模块，用于所述page数据中的非对应数据保留不变。

12.如权利要求11所述的装置，其特征在于，所述ECC检测模块包括：

目标数据校验子模块，用于对所述目标page数据中更新的目标数据进行奇偶校验；

目标page数据校验子模块，用于对编写到所述存储阵列中的目标page数据再次进行奇偶校验。