[发明专利]功放装置有效
| 申请号： | 201210171618.5 | 申请日： | 2012-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN102710226A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 管少钧;张振浩;杜黎明;李俊杰;万幸 | 申请（专利权）人： | 上海艾为电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/217 | 分类号： | H03F3/217;H03F1/26 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 200233 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功放 装置 | ||
1.一种功放装置，其特征在于，包括：电流提供单元、第一MOS管、第二MOS管、滤波电容、共模电压产生单元和第一放大器；
所述电流提供单元，适于产生基准电流；
所述共模电压产生单元，适于产生第一共模电压;
所述第一MOS管的源极适于输入第一共模电压，所述第一MOS管的漏极连接所述滤波电容的第一极，所述第一MOS管的栅极连接所述第二MOS管的栅极；
所述第二MOS管的源极连接所述第一MOS管的源极，所述第二MOS管的漏极与栅极相连接，所述第二MOS管的漏极适于输入基准电流；
所述滤波电容的第一极连接所述第一放大器的共模电压输入端，第二极接地；
其中，所述基准电流使所述第一MOS管工作在亚阈值区。
2.如权利要求1所述的功放装置，其特征在于，所述第一MOS管的电阻值为100MΩ~1000GΩ，所述滤波电容的电容值为0.1pF~100pF。
3.如权利要求1所述的功放装置，其特征在于，还包括调节电阻，所述第二MOS管的漏极通过所述调节电阻与栅极相连接；
所述调节电阻的第一端与所述第二MOS管的漏极相连接，所述调节电阻的第二端与所述第二MOS管的栅极和所述电流提供单元相连接。
4.如权利要求1所述的功放装置，其特征在于，还包括调节单元，所述调节单元包括：第一子MOS管和第二子MOS管；
所述第一子MOS管的源极连接所述第一MOS管的漏极，所述第一子MOS管的漏极连接所述滤波电容的第一极，所述第一子MOS管的栅极连接所述第二子MOS管的栅极；
所述第二子MOS管的源极连接所述第二MOS管的漏极，所述第二子MOS管的漏极与栅极相连接，所述第二子MOS管的漏极适于输入基准电流。
5.如权利要求1所述的功放装置，其特征在于，所述第一MOS管和第二MOS管均为NMOS管。
6.如权利要求1所述的功放装置，其特征在于，所述电流提供单元包括：电流源和电流镜，所述电流源提供所述电流镜的输入电流，所述电流镜输出所述基准电流。
7.如权利要求1所述的功放装置，其特征在于，所述电流提供单元包括：带隙基准电路和电流镜，所述带隙基准电路提供所述电流镜的输入电流，所述电流镜输出所述基准电流。
8.如权利要求1所述的功放装置，其特征在于，所述共模电压产生单元包括：第一电阻和第二电阻，所述第一电阻的第一端连接电源，所述第一电阻的第二端连接第二电阻的第一端，所述第二电阻的第一端产生所述共模电压，所述第二电阻的第二端接地。
9.如权利要求1所述的功放装置，其特征在于，还包括第二放大器，所述第二放大器的共模电压输入端连接所述滤波电容的第一极。
10.如权利要求9所述的功放装置，其特征在于，所述第一放大器和所述第二放大器为差分放大器。
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