[发明专利]功放装置有效

专利信息
申请号: 201210171618.5 申请日: 2012-05-29
公开(公告)号: CN102710226A 公开(公告)日: 2012-10-03
发明(设计)人: 管少钧;张振浩;杜黎明;李俊杰;万幸 申请(专利权)人: 上海艾为电子技术有限公司
主分类号: H03F3/217 分类号: H03F3/217;H03F1/26
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 骆苏华
地址: 200233 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 功放 装置
【说明书】:

技术领域

本发明涉及放大器领域,特别涉及一种功放装置。

背景技术

公开号为CN 101958690A的中国专利申请公开一种D类音频功率放大器电路,第一级放大器两个输入端连接音频信号,第一级放大器两个输出端串接输入电阻后连接至第二级放大器的两个输入端,两个反馈电阻连接第一级放大器的两对输入、输出端;第二级放大器的一个输出端串接第一比较器、第一驱动电路接至扬声器的一个输入端,第二级放大器的另一个输出端串接第二比较器、第二驱动电路接至扬声器的另一个输入端,两个反馈电容连接第二级放大器的两对输入、输出端,两个反馈电阻连接在第二级放大器的输入端和扬声器的输入端。

虽然公开号为CN 101958690A的中国专利申请公开的技术方案可以减少总谐波失真,但是对电源噪声的抑制作用非常小。

发明内容

本发明技术方案解决的是现有功放器无法有效抑制电源噪声。

本发明技术方案提供一种功放装置,包括:电流提供单元、第一MOS管、第二MOS管、滤波电容、共模电压产生单元和第一放大器;

所述电流提供单元,适于产生基准电流;

所述共模电压产生单元,适于产生第一共模电压;

所述第一MOS管的源极适于输入第一共模电压,所述第一MOS管的漏极连接所述滤波电容的第一极,所述第一MOS管的栅极连接所述第二MOS管的栅极;

所述第二MOS管的源极连接所述第一MOS管的源极,所述第二MOS管的漏极与栅极相连接,所述第二MOS管的漏极适于输入基准电流;

所述滤波电容的第一极连接所述第一放大器的共模电压输入端,第二极接地;

其中,所述基准电流使所述第一MOS管工作在亚阈值区。

可选择的,所述的功放装置还包括调节电阻,所述第二MOS管的漏极通过所述调节电阻与栅极相连接;

所述调节电阻的第一端与所述第二MOS管的漏极相连接,所述调节电阻的第二端与所述第二MOS管的栅极和所述电流提供单元相连接。

可选择的,所述的功放装置还包括调节单元,所述调节单元包括:第一子MOS管和第二子MOS管;

所述第一子MOS管的源极连接所述第一MOS管的漏极,所述第一子MOS管的漏极连接所述滤波电容的第一极,所述第一子MOS管的栅极连接所述第二子MOS管的栅极;

所述第二子MOS管的源极连接所述第二MOS管的漏极,所述第二子MOS管的漏极与栅极相连接,所述第二子MOS管的漏极适于输入基准电流。

与现有技术相比,本发明技术方案将工作在亚阈值区的MOS管与滤波电容形成具有低极点的滤波电路,有效的抑制了电源噪声。并且,由于工作在亚阈值区的MOS管和电容值较小的滤波电容均可以集成在芯片内,所以,节约了设计成本和设计空间,提高了系统设计的集成度。

本发明技术方案的功放装置还可以通过调节单元或调节电阻,保证基准电流可以更准确的镜像到工作在亚阈值区的MOS管上,使得该MOS管稳定的工作在亚阈值区。

附图说明

图1为现有技术的D类功放器的一结构示意图;

图2为现有技术的D类功放器的局部结构示意图;

图3为现有技术的D类功放器的另一结构示意图;

图4为本发明技术方案的功放装置的实施例一的一结构示意图;

图5为本发明技术方案的功放装置的实施例一的另一结构示意图;

图6为本发明技术方案的电流提供单元的结构示意图;

图7为本发明技术方案的共模电压产生单元的结构示意图;

图8为本发明技术方案的功放装置的实施二例结构示意图;

图9为本发明技术方案的功放装置的实施三例结构示意图;

图10为本发明技术方案的功放装置的实施四例结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本发明。根据下列说明,本发明的优点和特征将更清楚。

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