[发明专利]发光二极管有效
申请号: | 201210171813.8 | 申请日: | 2012-05-29 |
公开(公告)号: | CN102810619A | 公开(公告)日: | 2012-12-05 |
发明(设计)人: | 叶寅夫 | 申请(专利权)人: | 亿光电子工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/64 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 骆希聪 |
地址: | 中国台湾新*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 | ||
1.一种发光二极管,包括:
一基板,包括:
一本体,具有一第一表面及相对该第一表面的一第二表面;
多个第三接垫,设置于该第一表面上;
一第四接垫,设置于该第一表面上;
一第一电极,设置于该第二表面上;
一第二电极,设置于该第二表面上;
多个第一导电贯孔,贯穿该本体,且电性连接所述第三接垫及该第一电极;
一第二导电贯孔,贯穿该本体,且电性连接该第四接垫及该第二电极;
以及
多个第三导电贯孔;以及
一发光二极管芯片,以倒装芯片方式设置于该基板上,且包括:
一透明基板;
一第一型半导体层,设置于该透明基板上;
一有源半导体层,设置于该第一型半导体层上;
一第二型半导体层,设置于该有源半导体层上;
一第一接垫,设置于该第二型半导体层上,且电性连接至所述第三接垫;以及
一第二接垫,设置于该第二型半导体层上,且电性连接至该第四接垫,
其中该多个第三导电贯孔贯穿该第二型半导体层以及该有源半导体层,并且该多个第三导电贯孔电性连接该第一接垫与该第一型半导体层。
2.如权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,该基板包括硅基板或绝缘基板。
3.如权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,该第一型半导体层及该第二型半导体层包括N型半导体层及P型半导体层的搭配组合。
4.如权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,该透明基板包括蓝宝石。
5.如权利要求1所述的发光二极管,还包括一粘着层,设置于该发光二极管芯片及该基板之间。
6.如权利要求5所述的发光二极管,其特征在于,该粘着层包括一欧姆接触层、一反射层、一焊接层、一阻障层或上述至少一者或多者的组合。
7.如权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,该透明基板上具有一规则的表面粗化表面或是一不规则的表面粗化表面。
8.如权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述第三导电贯孔的数量等于所述第一导电贯孔的数量。
9.如权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,该第一接垫与该第二接垫之间的一距离大于或等于所述第三接垫与该第四接垫之间的一距离以及该第一电极与该第二电极之间的一距离中的一者或是两者。
10.如权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,该发光二极管芯片的一外围侧面齐平于该基板的该本体的一外围侧面。
11.如权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述第三接垫、该第一电极与该第一接垫的配置包括一单一接垫、多重接垫、一单一电极、多重电极、一单一接触层或多重接触层的搭配组合。
12.如权利要求1所述的发光二极管,还包括一绝缘层,配置于所述第三导电贯孔、该第二型半导体层以及该有源半导体层之间以将所述第三导电贯孔、该第二型半导体层以及该有源半导体层隔离。
13.如权利要求1所述的发光二极管,还包括一绝缘层,配置于所述第一导电贯孔与该本体之间以及该第二导电贯孔与该本体之间,位于该本体的一侧壁表面上以及位于该本体的该第一表面与该本体的该第二表面中不被所述第一导电贯孔及该第二导电贯孔所贯穿的面积上。
14.如权利要求13所述的发光二极管,还包括一电流分散层,配置于该第二接垫与该第二型半导体层之间以及该绝缘层与该第二型半导体层之间。
15.一种发光二极管,包括:
一基板,包括一本体,该本体具有一第一表面及相对该第一表面的一第二表面;
一透明基板;
一第一型半导体层,设置于该透明基板上;
一有源半导体层,设置于该第一型半导体层上;
一第二型半导体层,对应设置于该有源半导体层上;
多个第一导电贯孔,贯穿该基板的该本体、该第二型半导体层及该有源半导体层;以及
一第二导电贯孔,贯穿该基板的该本体。
16.如权利要求15所述的发光二极管,其特征在于,该基板包括硅基板或绝缘基板。
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