[发明专利]浅沟槽隔离的制造方法和CMOS的制造方法

权利要求书

1.一种浅沟槽隔离的制备方法，包括：

提供衬底，在所述衬底上依次形成衬垫氧化层和硬掩膜层，图案化所述硬掩膜层并对衬垫氧化层以及衬底进行刻蚀形成浅沟槽；

沉积氧化物以在所述浅沟槽内形成第一填充氧化物，并对所述浅沟槽内沉积的第一填充氧化物进行回刻，以使刻蚀后的第一填充氧化物厚度小于所述浅沟槽的深度，以暴露部分所述浅沟槽的顶部侧壁；

以所述硬掩膜层作为屏蔽，执行倾斜氟离子注入，以对暴露的所述顶部侧壁进行掺杂；

再次沉积氧化物，以形成完全填充所述浅沟槽的第二填充氧化物，并执行化学机械研磨，以暴露所述硬掩膜层表面；

刻蚀去除所述硬掩膜层及衬垫氧化层，以形成浅沟槽隔离结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬垫氧化层、氧化物的材料为氧化硅，所述硬掩膜层的材料为氮化硅。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述浅沟槽隔离槽的深度为2000~4000埃，暴露的所述顶部侧壁的高度为100~1000埃。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述倾斜角度为5°至45°，所述氟离子注入能量为1kev至100kev，剂量为1E12/cm²至1e15/cm²。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述浅沟槽内沉积的第一填充氧化物进行回刻采用干法刻蚀。

6.一种CMOS的制造方法，包括：

提供衬底，在所述衬底上依次形成衬垫氧化层和硬掩膜层，图案化所述硬掩膜层并对衬垫氧化层以及衬底进行刻蚀形成浅沟槽；

沉积氧化物以在所述浅沟槽内形成第一填充氧化物，并对所述浅沟槽内沉积的第一填充氧化物进行回刻，以使刻蚀后的第一填充氧化物厚度小于所述浅沟槽的深度，以暴露部分所述浅沟槽的顶部侧壁；

以所述硬掩膜层作为屏蔽，执行倾斜氟离子注入，已对暴露的所述顶部侧壁进行掺杂；

再次沉积氧化物，以形成完全填充所述浅沟槽的第二填充氧化物，并执行化学机械研磨，以暴露所述硬掩膜层表面；

刻蚀去除所述硬掩膜层及衬垫氧化层，以形成浅沟槽隔离结构；

对所述浅沟槽隔离结构两侧的半导体衬底执行离子注入，以形成有源区；

在所述有源区表面热氧化形成栅氧化层；

分别制作NMOS及PMOS的栅极、源/漏极。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述衬垫氧化层、氧化物的材料为氧化硅，所述硬掩膜层的材料为氮化硅。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述浅沟槽隔离槽的深度为2000~4000埃，暴露的所述顶部侧壁的高度为100~1000埃。

9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述倾斜角度为5°至45°，所述氟离子注入能量为1kev至100kev，剂量为1E12/cm²至1e15/cm²。

10.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，对所述浅沟槽内沉积的第一填充氧化物进行回刻采用干法刻蚀。