[发明专利]低噪声带隙基准电路和基准源产生系统

权利要求书

1.一种低噪声带隙基准电路，其特征在于，包括：启动电路、钳位电路、温度系数补偿电路和输出电路；

所述启动电路用于向其他电路提供启动电压，并在其他电路启动后关闭；

所述钳位电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管；所述第一PMOS管的栅极与漏极相连，源极耦接第一基准电压，漏极连接第一NMOS管的漏极；所述第一NMOS管的源极连接所述温度系数补偿电路，栅极连接第二NMOS管的栅极；所述第二PMOS管的栅极连接所述第一PMOS管的栅极，源极耦接第一基准电压，漏极连接第二NMOS管的漏极；所述第二NMOS管的栅极连接漏极并连接至所述启动电路，源极连接所述温度系数补偿电路；

所述温度系数补偿电路用于对钳位电路输出的电压进行温度系数补偿，并产生与温度无关的基准电压；

所述输出电路连接所述温度系数补偿电路，用于接收所述与温度无关的基准电压并输出第二基准电压。

2.如权利要求1所述的低噪声带隙基准电路，其特征在于，所述钳位电路还包括第一电阻和第二电阻，所述第一电阻的第一端连接第一基准电压，第二端连接第一PMOS管的源极；所述第二电阻的第一端连接第一基准电压，第二端连接第二PMOS管的源极。

3.如权利要求1所述的低噪声带隙基准电路，其特征在于，所述温度系数补偿电路包括：第三PMOS管、第三电阻、第四电阻、第一PNP晶体管、第二PNP晶体管、第三PNP晶体管和第四PMOS管；

所述第三PMOS管的源极耦接第一基准电压，栅极连接第一PMOS管的栅极，漏极连接第三电阻的第一端并输出启动电路的关断电压；

所述第三电阻的第二端连接第一PNP晶体管的发射极；

所述第一PNP晶体管的基极与集电极相连并连接至负向电压；

第四电阻的第一端连接第一NMOS管的源极，第二端连接第二PNP晶体管的发射极；

所述第二PNP晶体管的基极与集电极相连并连接至负向电压；

所述第三PNP晶体管的发射极连接所述第二NMOS管的源极，基极与集电极相连并连接负向电压；

所述第四PMOS管的栅极连接所述第三PMOS管的栅极，源极耦接第一基准电压，漏极作为所述温度系数补偿电路的输出端输出与温度无关的基准电压。

4.如权利要求3所述的低噪声带隙基准电路，其特征在于，所述第三电阻为可变电阻。

5.如权利要求3所述的低噪声带隙基准电路，其特征在于，所述第一PNP晶体管的面积与第三PNP晶体管的面积相同，且所述第一PNP晶体管的面积与第二PNP晶体管的面积之间的比值为8：1。

6.如权利要求3所述的低噪声带隙基准电路，其特征在于，所述温度系数补偿电路还包括第五电阻和第六电阻，所述第五电阻的第一端连接第一基准电压，第二端连接第三PMOS管的源极；所述第六电阻的第一端连接第一基准电压，第二端连接所述第四PMOS管的源极。

7.如权利要求1所述的低噪声带隙基准电路，其特征在于，所述启动电路包括：第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管和第六NMOS管；

所述第五PMOS管的栅极接收启动控制信号，源极连接第一基准电压，漏极连接第六PMOS管的源极；

所述第六PMOS管的栅极连接第七PMOS管的栅极，漏极连接第七PMOS管的源极；

所述第七PMOS管的栅极连接负向电压，漏极连接第三NMOS管的漏极；

所述第三NMOS管的栅极接收温度系数补偿电路输出的关断电压，源极连接负向电压；

所述第四NMOS管的栅极接收启动控制信号，源极连接负向电压，漏极连接第三NMOS管的漏极；

所述第五NMOS管的栅极连接第四NMOS管的漏极，漏极连接第一基准电压，源极连接第六NMOS管的漏极，并作为启动电路的输出端，输出启动电压；

所述第六NMOS管的栅极接收启动控制信号，源极连接负向电压。