[发明专利]低噪声带隙基准电路和基准源产生系统

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路技术领域，特别涉及一种低噪声带隙基准电路和基准源产生系统。

背景技术

随着CMOS集成电路的集成度进一步提高，越来越多的芯片采用片内的电压与电流基准。片内的电压基准与电源具有免疫工艺偏差、降低电路系统复杂程度与成本、缩小系统面积等优势，因而被广泛应用于诸如数/模转换器、通信电路、数据采集系统和精密传感中。

片内的电压与电流基准源电路一般由带隙基准（bandgap）、基准电压与电流产生电路组成。首先由带隙基准产生与温度无关的基准电压，而后经过基准电压与电流的产生电路产生各种电压和电流基准。

公开号为CN102354245A的中国专利申请中公开了一种现有技术的带隙基准源的示意图。参考图1，所述带隙基准源包括：误差放大器EA、PMOS管M1和M2、第一三极管q1、第二三极管q2、电阻R11和R12。各个器件的具体连接方式如图1所示，在此不再赘述。

继续参考图1，由于误差放大器EA的钳位作用，使得V_X与V_Y两点的电压基本相等，即V_X=V_Y=V_BE2；同时，两边电路中的电流也相等，即

IX=IY=VBE2-VBE1R1=VTlnNR1.---(1)]]>

在公式（1）中，R1指的是电阻R11的阻值，由于则电流为正比于绝对温度（Proporational To Absolute Temperature，PTAT）电流，此电流经过电流镜的镜像之后成为整个芯片的偏置电流。

根据公式（1）可以得出，带隙电压VBG=IXR2=R2R1VTlnN+VBE2.---(2)]]>

公式（2）中，R2指的是电阻R12的阻值，由于VT为正温度系数，且V_BE2为负温度系数，合理的调节系数的大小，便可以在一定温度下实现基准随温度的变化为零，从而为整个芯片提供一个随温度变化很小的基准参考电压。

但是图1所示的带隙基准源具有很大的噪声，其并不能很好的抑制基准源电路本身所具有噪声，特别是器件的闪烁噪声（或者说1/f噪声）。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种具有极低噪声的低噪声带隙基准电路和基准源产生系统。