[发明专利]发光二极管的制造方法无效

专利信息
申请号: 201210176220.0 申请日: 2012-05-31
公开(公告)号: CN103456861A 公开(公告)日: 2013-12-18
发明(设计)人: 林厚德;陈滨全 申请(专利权)人: 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/58
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518109 广东省深圳市宝*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种发光二极管的制造方法,其包括如下步骤:

提供具有电极的基板;

提供发光芯片,并使其电性连接至所述电极上;

提供反射层并提供滚刀、带动所述滚刀转动的转轴以及控制滚刀位移的控制装置,所述控制装置控制滚刀下行而研磨所述反射层直至形成适当深度的沟槽,同时,所述滚刀相应的侧面研磨沟槽的内表面,如此多次反复从而在反射层上形成收容孔;

固定反射层于基板上,并使基板上的发光芯片收容于对应的收容孔内。

2.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法,其特征在于:所述收容孔大致呈碗状且于所述反射层的厚度方向上上下贯穿,其用以容置发光芯片于其内。

3.如权利要求2所述的发光二极管的制造方法,其特征在于:所述收容孔的横截面呈椭圆形,其长轴方向平行于反射层的纵向方向,且所述收容孔的内径沿反射层的厚度方向自上向下逐渐减小。

4.如权利要求3所述的发光二极管的制造方法,其特征在于:所述收容孔的内表面为一中部内凹的光滑的弧形反射面,其用以反射发光芯片发出的光线。

5.如权利要求4所述的发光二极管的制造方法,其特征在于:所述发光芯片位于所述收容杯的弧形反射面的焦点处。

6.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法,其特征在于:所述电极包括分别位于基板上、下表面的第一电极及第二电极,通过机械钻孔或蚀刻等方式在所述基板的一侧边缘上沿基板厚度方向开设贯穿所述第二电极及基板的导孔,且所述导孔连接基板上、下表面的第一电极及第二电极。

7.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法,其特征在于:所述电极上形成覆盖发光芯片于其内的荧光层,且所述荧光层收容于所述收容杯内。

8.如权利要求7所述的发光二极管的制造方法,其特征在于:所述荧光层上形成包覆荧光层于收容杯内的封装层。

9.如权利要求7所述的发光二极管的制造方法,其特征在于:二相邻的荧光层之间形成收容空间,二相邻的收容孔之间具有连接部,所述连接部收容于所述收容空间。

10.如权利要求1所述的发光二极管的制造方法,其特征在于:所述封装层采用喷洒、点滴或灌注的方式填充收容孔。

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