[发明专利]发光二极管的制造方法无效

专利信息
申请号: 201210176220.0 申请日: 2012-05-31
公开(公告)号: CN103456861A 公开(公告)日: 2013-12-18
发明(设计)人: 林厚德;陈滨全 申请(专利权)人: 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/58
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518109 广东省深圳市宝*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 制造 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种半导体的制造方法,尤其涉及一种发光二极管的制造方法。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode,LED)是一种可将电流转换成特定波长范围的光的半导体元件,凭借其发光效率高、体积小、重量轻、环保等优点,已被广泛地应用到当前的各个领域当中。

现有的发光二极管的制造方法通常包括提供一基板、设置在基板上的一发光二极管芯片及固定在基板上并将发光二极管芯片围设在内的一反射杯。传统的反射杯通常通过模具射出成型的方式制成,具有一收容孔,用以将所述发光二极管芯片收容其内。所述收容孔的内表面通常为自与基板连接的底端朝向远离基板的顶端倾斜向上、向外延伸的斜面或垂直向上延伸的直面,用以反射发光二极管芯片发出的光线。然而,如此设计的收容孔的内表面发射角度较小,导致发光二极管的出光效率受限。并且,通过模具射出成型方式较难掌控收容孔的内表面各处的制成精度,导致反射杯的反射效果难以预测。

发明内容

有鉴于此,有必要提供一种制造简单且出光效率较高的发光二极管的制造方法。

一种发光二极管的制造方法,其包括如下步骤:

提供具有电极的基板;

提供发光芯片,并使其电性连接至所述电极上;

提供反射层并提供滚刀、带动所述滚刀转动的转轴以及控制滚刀位移的控制装置,所述控制装置控制滚刀下行而研磨所述反射层直至形成适当深度的沟槽,同时,所述滚刀相应的侧面研磨沟槽的内表面,如此多次反复从而在反射层上形成收容孔;

固定反射层于基板上,并使基板上的发光芯片收容于对应的收容孔内。

本发明提供的发光二极管的制造方法,制程简单,易于操作,尤其在形成内壁为圆弧状的收容孔时,精度易于控制,且采用本方法制成的发光二极管具有较高的出光效率。

附图说明

图1至图11为本发明发光二极管制造方法的各步骤示意图。

主要元件符号说明

发光二极管1第一电极11第二电极13第一间隔部15第二间隔部17导孔20凹陷21凹槽23发光芯片30金属引线31、32荧光层40收容空间41粘着剂43反射层50收容孔51连接部53封装层57喷头59研磨设备60滚刀61转轴63上表面101下表面103侧面611

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