[发明专利]具有加强帽盖层的半导体结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201210176812.2 | 申请日： | 2012-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN103151372A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 何佳谚 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 加强 盖层 半导体 结构 及其 制作方法 | ||
1.一种半导体结构，其特征在于，包含：
一基材；
一主体结构，位于所述基材上；
一侧壁子，设于所述主体结构的一侧壁表面；以及
至少一加强帽盖层，设于所述侧壁子的一上端表面。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述加强帽盖层补偿所述侧壁子的一上部厚度。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述加强帽盖层仅覆盖所述上端表面，而所述侧壁子的一下端表面未被所述加强帽盖层覆盖。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，位于所述加强帽盖层的下缘与所述侧壁子之间的所述主体结构侧壁表面具有高低落差特征。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述主体结构包含有一底部导体层以及一上部掩膜层。
6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述底部导体层包含有金属或多晶硅。
7.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述上部掩膜层包含有氮化硅层。
8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述侧壁子包含有氮化硅。
9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述加强帽盖层包含有氮化硅。
10.一种凹入式栅极结构，其特征在于，包含有：
一基材，其上有一凹陷沟槽；
一主体结构，设于所述基材上且填入所述凹陷沟槽中；
一侧壁子，设于所述主体结构的一侧壁表面；以及
至少一加强帽盖层，设于所述侧壁子的一上端表面。
11.一种凹入式栅极结构，其特征在于，包含有：
一基材，其上有一凹陷沟槽；
一主体结构，设于所述基材上且填入所述凹陷沟槽中；
一第一侧壁子，设于所述主体结构的一侧壁表面；
一转角氧化物，介于所述第一侧壁子、所述主体结构以及所述基材之间；
一第二侧壁子，设于所述第一侧壁子与所述转角氧化物上；以及
至少一加强帽盖层，设于所述第二侧壁子的一上端表面。
12.根据权利要求11所述的凹入式栅极结构，其特征在于，所述第一侧壁子、所述第二侧壁子以及所述加强帽盖层均由氮化硅所构成。
13.根据权利要求11所述的凹入式栅极结构，其特征在于，所述加强帽盖层补偿所述第二侧壁子的一上部厚度。
14.根据权利要求11所述的凹入式栅极结构，其特征在于，所述加强帽盖层仅覆盖所述上端表面，而所述第二侧壁子的一下端表面未被所述加强帽盖层覆盖。
15.根据权利要求11所述的凹入式栅极结构，其特征在于，位于所述加强帽盖层的下缘与所述第二侧壁子之间的所述主体结构侧壁表面具有高低落差特征。
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