[发明专利]存储可靠性验证技术

权利要求书

1.一种存储设备，包括：

存储单元，包括：一对交叉耦合的反相器，被配置为协同地存储至少一位数据，以及第一和第二存取晶体管，所述第一和第二存取晶体管的各自的源极耦接至所述反相器的相应的输入端；

第一和第二位线，分别耦接至所述第一和第二存取晶体管的各自的漏极；

字线，分别耦接至所述第一和第二存取晶体管的第一和第二栅极；

第一和第二位线驱动器，分别耦接至所述第一和第二位线；所述第一和第二位线驱动器被配置为基于将被写入所述存储单元的所预期的数据状态来选择性地有效对于所述第一和第二位线的预定电流脉冲；以及

失真电路，耦接至所述第一和第二位线，并被配置为在所述字线有效的同时，向所述第一或第二位线中的至少一条增添电流或从所述第一或第二位线中的至少一条减少电流，从而测试所述存储单元的写裕量或读裕量。

2.根据权利要求1所述的存储设备，其中，所述失真电路包括：

预充电电路，耦接至所述第一和第二位线中的至少一条，其中，为了测试所述存储单元的所述写裕量或读裕量，所述预充电电路被配置为向所述至少一条位线传送预定的电荷。

3.根据权利要求2所述的存储设备，其中，所述预充电电路包括：

第一多个预充电元件，被布置为彼此并联并耦接至所述第一位线；以及

第二多个预充电元件，被布置为彼此并联并耦接至所述第二位线。

4.根据权利要求3所述的存储设备，其中，所述第一多个预充电元件中的每一个能够独立于所述第二多个预充电元件而有效。

5.根据权利要求3所述的存储设备，其中，所述第一多个预充电元件中的至少一个的控制端子连接至所述第二多个预充电元件中的至少一个的控制端子。

6.根据权利要求2所述的存储设备，其中，所述预充电电路包括：

下拉电路，耦接至所述第一和第二位线中的至少一条，并且被配置为选择性地向所述第一和第二位线中的至少一条增添电流或从所述第一和第二位线中的至少一条减少电流以测试所述写裕量或读裕量。

7.根据权利要求6所述的存储设备，其中，所述下拉电路包括：

第一多个下拉元件，被布置为彼此并联并耦接至所述第一位线；以及

第二多个下拉元件，被布置为彼此并联并耦接至所述第二位线。

8.根据权利要求7所述的存储设备，其中，所述第一多个下拉元件中的每一个相对于所述第二多个下拉元件中的每一个能够独立地有效。

9.根据权利要求7所述的存储设备，其中，所述第一多个下拉元件中的至少一个的控制端子连接至所述第二多个下拉元件中的至少一个的控制端子。

10.根据权利要求2所述的存储设备，其中，所述预充电电路包括：

上拉电路，耦接至所述第一和第二位线中的至少一条，并且被配置为选择性地向所述第一和第二位线中的至少一条增添电流或从所述第一和第二位线中的至少一条减少电流从而测试所述写裕量或读裕量。

11.根据权利要求10所述的存储设备，其中，所述上拉电路包括：

第一多个上拉元件，被布置为彼此并联并耦接至所述第一位线；以及

第二多个上拉元件，被布置为彼此并联并耦接至所述第二位线。

12.根据权利要求11所述的存储设备，其中，所述第一多个上拉元件中的每一个相对于所述第二多个上拉元件中的每一个能够独立地有效。

13.根据权利要求11所述的存储设备，其中，所述第一多个上拉元件的至少一个的控制端子连接至所述第二多个上拉元件中的至少一个的控制端子。

14.根据权利要求2所述的存储设备，其中，所述预充电电路还包括：

上拉电路，耦接至所述第一和第二位线中的至少一条；

下拉电路，耦接至所述第一和第二位线中的至少一条并被布置为与所述上拉电路串联；

其中，所述上拉电路和下拉电路形成电阻分压器，所述电阻分压器被布置为选择性地向所述第一和第二位线中的至少一条增添电流或从所述第一和第二位线中的至少一条减少电流，从而测试所述写裕量或读裕量。