[发明专利]光电元件及其制造方法有效
申请号: | 201210179344.4 | 申请日: | 2012-06-01 |
公开(公告)号: | CN103456847B | 公开(公告)日: | 2017-12-26 |
发明(设计)人: | 何呈祥;陈标达;纪喨胜;陈俊昌;房蓓珊 | 申请(专利权)人: | 晶元光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/36;H01L27/15;B23K26/362 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 光电 元件 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光元件制造方法,其步骤至少包含:
提供一基板,其中该基板具有第一表面与第二表面,其中该第一表面与该第二表面相对;
形成多个发光叠层于该基板的第二表面上;
形成一氧化层于该基板的第一表面;
自该基板的第一表面上的氧化层施加一能量至该基板内以形成多个不连续的第一变质区;
在施加该能量至该基板内后,形成一金属层于该氧化层上;以及
沿着该些多个不连续的第一变质区分离该基板。
2.如权利要求1所述的发光元件制造方法,其中该能量为施加一激光照射,且该激光波长可为350-1500nm,能量可为0.05-1W,速度可为20-1000mm/sec。
3.如权利要求1所述的发光元件制造方法,还包含形成一支持层包覆该多个发光叠层。
4.如权利要求1所述的发光元件制造方法,其中形成该发光叠层的步骤,至少包含:
形成一第一导电型半导体层于该基板的第二表面上;
形成一活性层于该第一导电型半导体层上;
形成一第二导电型半导体层于该活性层上。
5.如权利要求1所述的发光元件制造方法,还包含第一延伸部,形成于该第一变质区之上,其中该第一延伸部形成在该第一变质区与该基板的第二表面之间。
6.如权利要求1所述的发光元件制造方法,自该基板的第一表面施加一能量至该基板内以形成多个不连续的第二变质区,其中该第二变质区与该第一变质区在垂直该基板第一表面方向可互相重叠或可不互相重叠。
7.如权利要求3所述的发光元件制造方法,还包含一移除该支持层的步骤。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于晶元光电股份有限公司,未经晶元光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210179344.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种智能声光控制方法和照明装置
- 下一篇:一种袜子的耐洗牢度检测装置