[发明专利]光电元件及其制造方法有效
申请号: | 201210179344.4 | 申请日: | 2012-06-01 |
公开(公告)号: | CN103456847B | 公开(公告)日: | 2017-12-26 |
发明(设计)人: | 何呈祥;陈标达;纪喨胜;陈俊昌;房蓓珊 | 申请(专利权)人: | 晶元光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/36;H01L27/15;B23K26/362 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电 元件 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种发光元件,特别是涉及一种关于发光元件的切割方法。
背景技术
发光二极管(light-emitting diode,LED)的发光原理是利用电子在n型半导体与p型半导体间移动的能量差,以光的形式将能量释放,这样的发光原理有别于白炽灯发热的发光原理,因此发光二极管被称为冷光源。此外,发光二极管具有高耐久性、寿命长、轻巧、耗电量低等优点,因此现今的照明市场对于发光二极管寄予厚望,将其视为新一代的照明工具,已逐渐取代传统光源,并且应用于各种领域,如交通号志、背光模块、路灯照明、医疗设备等。
图1为现有的发光元件结构示意图,如图1所示,现有的发光元件100,包含有一透明基板10、一位于透明基板10上的半导体叠层12,以及至少一电极14位于上述半导体叠层12上,其中上述的半导体叠层12由上而下至少包含一第一导电型半导体层120、一活性层122,以及一第二导电型半导体层124。
此外,上述的发光元件100还可以进一步地与其他元件组合连接以形成一发光装置(light-emitting apparatus)。图2为现有的发光装置结构示意图,如图2所示,一发光装置200包含一具有至少一电路202的次载体(sub-mount)20;至少一焊料(solder)22位于上述次载体20上,通过此焊料22将上述发光元件100粘结固定于次载体20上并使发光元件100的基板10与次载体20上的电路202形成电连接;以及,一电连接结构24,以电连接发光元件100的电极14与次载体20上的电路202;其中,上述的次载体20可以是导线架(lead frame)或大尺寸镶嵌基底(mounting substrate),以方便发光装置200的电路规划并提高其散热效果。
然而,如图1所示,于现有的发光元件100中,由于透明基板10的表面是一平整表面,且透明基板10的折射率与外部环境的折射率不同,因此活性层122所发出的光线A由基板进入外部环境时,容易形成全反射(Total Internal Reflection,TIR),降低发光元件100的光摘出效率。
发明内容
为解决上述问题,本发明提供一种发光元件制造方法,其步骤至少包含:提供一基板,其中基板具有一第一表面与一第二表面,其中第一表面与第二表面相对,形成多个发光叠层于基板的第二表面上,形成一氧化层于该基板的第一表面,自基板的第一表面施加一能量至基板内以形成多个不连续的第一变质区,在施加该能量至该基板内后,形成一金属层于该氧化层上,以及沿着些多个不连续的第一变质区分离基板。
附图说明
图1为现有的发光元件结构示意图;
图2为现有的发光装置结构示意图;
图3A至图3I为本发明第一实施例制造流程结构示意图;
图3J为图3I的劈裂面的基板剖面的扫描式电子显微镜微结构图;
图4A至图4H为本发明第二实施例制造流程结构示意图;
图5A-图5C为一发光模块示意图;
图6A-图6B为一光源产生装置示意图。
主要元件符号说明
100、300、400 发光元件
10 透明基板
12、32、42 半导体叠层
14 电极
120、310、410 第一导电型半导体层
122、312、412 活性层
124、312、412 第二导电型半导体层
200 发光装置
20 次载体
202 电路
22 焊料
24 电连接结构
30、40 基板
302、402 第一表面
304、404 第二表面
36、46 支持层
306、406 第一变质区
306’、406’ 第二变质区
3061、4061 第一延伸部
3062、4062 第二延伸部
342、442 第一电极
341、441 第二电极
381、481 氧化层
382、482 金属层
500 发光模块
501 下载体
502 载体
503 上载体
504、506、508、510 透镜
512、514 电源供应终端
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