[发明专利]春石斛兰嫩茎段离体培养方法

权利要求书

1.一种春石斛兰的嫩茎段离体快速培养方法，其特征在于，具体步骤为：

第一步：选取新抽生的长度为5～15厘米的嫩枝，剥去叶片及叶鞘，用洗洁精清洗，在超净工作台上先用75vol％的乙醇溶液浸泡消毒0.5～1.5min，再用洁尔敏溶液浸泡消毒15min，所述的洁尔敏溶液中洁尔敏和水的体积比为1∶50，最后用0.1vol％的升汞溶液浸泡消毒15min，用无菌水冲洗，用无菌滤纸吸干水份；

第二步：将第一步得到的嫩枝切成0.5～1.5cm长的茎段，每个茎段带1个茎节，接种于第一培养基中诱导腋芽萌发生长；

第三步：切下第二步得到的新芽，接种到第二培养基中诱导丛生芽生长；

第四步：将丛生芽切成单芽后，接种到第三培养基上进行生根培养，得到生根的试管苗；

第五步：将生根的试管苗移入苔藓基质中，装入塑料穴盘中育成“苔藓穴盘苗”，移栽后浇足水，第二天开始叶面喷洒清水，每天2次，半月后追施营养液，每月二次，经三个月以上培养后，移入花盆中作盆花培养或作塑料大棚大苗培养。

2.如权利要求1所述的春石斛兰的嫩茎段离体快速培养方法，其特征在于，所述的第二步中的第一培养基由在MS培养基中添加细胞分裂素、赤霉素、萘乙酸和香蕉泥得到，第一培养基中细胞分裂素的浓度为1mg/L，赤霉素的浓度为0.2mg/L，萘乙酸的浓度为0.1mg/L，香蕉泥的浓度为50g/L。

3.如权利要求1所述的春石斛兰的嫩茎段离体快速培养方法，其特征在于，所述第三步中的第二培养基由在MS培养基中添加细胞分裂素、赤霉素、萘乙酸和香蕉泥得到，第二培养基中细胞分裂素的浓度为1-2mg/L，赤霉素的浓度为0.2mg/L，萘乙酸的浓度为0.1-0.2mg/L，香蕉泥的浓度为50g/L。

4.如权利要求1所述的春石斛兰的嫩茎段离体快速培养方法，其特征在于，所述第四步中的第三培养基由在1/2MS培养基中添加吲哚丁酸和萘乙酸得到，第三培养基中吲哚丁酸的浓度为0.5mg/L，萘乙酸浓度为0.1mg/L。

5.如权利要求1所述的春石斛兰的嫩茎段离体快速培养方法，其特征在于，所述第五步中的营养液的成分是：含有0.1vol％磷酸二氢钾和0.1vol％硝酸铵的水溶液。