[发明专利]春石斛兰嫩茎段离体培养方法无效
申请号: | 201210179901.2 | 申请日: | 2012-06-02 |
公开(公告)号: | CN102657097A | 公开(公告)日: | 2012-09-12 |
发明(设计)人: | 汤桂钧;蒋建平;胡海峰;吴永兰;吴穷;张媁 | 申请(专利权)人: | 上海市闵行区农业科学研究所 |
主分类号: | A01H4/00 | 分类号: | A01H4/00 |
代理公司: | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人: | 翁若莹;柏子雵 |
地址: | 201109 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 石斛 兰嫩茎段离体 培养 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种石斛兰嫩茎段离体快速培养方法,利用抽生的长度10cm左右的新枝经清洗消毒后诱导丛生芽,再经过培养后获得完整的试管苗,属于石斛兰培养方法技术领域。
背景技术
石斛兰是一种喜温喜湿高档名贵热带兰,其中的春石斛兰是主要种类之一,适应性较强,花色繁多艳丽,花期长达数月,观赏价值高,其种苗靠扦插繁殖,繁殖率低并且易带病毒,无法满足生产用种苗之需。
发明内容
本发明的目的是提供一种繁殖速度快、繁殖率高的春石斛兰种苗培养方法。
为达到上述目的,本发明提供了一种春石斛兰的嫩茎段离体快速培养方法,其特征在于,具体步骤为:
第一步:选取新抽生的长度为5~15厘米的嫩枝,剥去叶片及叶鞘,用洗洁精清洗,在超净工作台上先用75vol%的乙醇溶液浸泡消毒0.5~1.5min,再用洁尔敏溶液浸泡消毒15min,所述的洁尔敏溶液中洁尔敏和水的体积比为1∶50,最后用0.1vol%的升汞溶液浸泡消毒15min,用无菌水冲洗,用无菌滤纸吸干水份;
第二步:将第一步得到的嫩枝切成0.5~1.5cm长的茎段,每个茎段带1个茎节,接种于第一培养基中诱导腋芽萌发生长;
第三步:切下第二步得到的新芽,接种到第二培养基中诱导丛生芽生长;
第四步:将丛生芽切成单芽后,接种到第三培养基上进行生根培养,得到生根的试管苗;
第五步:将生根的试管苗移入苔藓基质中,装入塑料穴盘中育成“苔藓穴盘苗”,移栽后浇足水,第二天开始叶面喷洒清水,每天2次,半月后追施营养液,每月二次,经三个月以上培养后,移入花盆中作盆花培养或作塑料大棚大苗培养。
优选地,所述的第二步中的第一培养基由在MS培养基中添加细胞分裂素、赤霉素、萘乙酸和香蕉泥得到,第一培养基中细胞分裂素的浓度为1mg/L,赤霉素的浓度为0.2mg/L,萘乙酸的浓度为0.1mg/L,香蕉泥的浓度为50g/L。
优选地,所述第三步中的第二培养基由在MS培养基中添加细胞分裂素、赤霉素、萘乙酸和香蕉泥得到,第二培养基中细胞分裂素的浓度为1-2mg/L,赤霉素的浓度为0.2mg/L,萘乙酸的浓度为0.1-0.2mg/L,香蕉泥的浓度为50g/L。
优选地,所述第四步中的第三培养基由在1/2MS培养基中添加吲哚丁酸和萘乙酸得到,第三培养基中吲哚丁酸的浓度为0.5mg/L,萘乙酸浓度为0.1mg/L。
优选地,所述第五步中的营养液的成分是:含有0.1vol%磷酸二氢钾和0.1vol%硝酸铵的水溶液。
与现有技术相比,本发明的优点是:所得到的春石斛兰种苗繁殖速度快、繁殖率高。
具体实施方式
下面结合实施例来具体说明本发明。
实施例
一种春石斛兰的嫩茎段离体快速培养方法,具体步骤为:
第一步:选取新抽生的长度为10厘米的嫩枝,剥去叶片及叶鞘,用洗洁精清洗二遍,在超净工作台上先用75vol%的乙醇溶液浸泡消毒1min,再用洁尔敏溶液浸泡消毒15min,所述的洁尔敏溶液中洁尔敏和水的体积比为1∶50,最后用0.1vol%的升汞溶液浸泡消毒15min,用无菌水冲洗三遍,用无菌滤纸吸干水份;
第二步:将第一步得到的嫩枝切成1cm长的茎段,每个茎段带1个茎节,接种于第一培养基中诱导腋芽萌发生长;第一培养基由在MS培养基中添加细胞分裂素、赤霉素、萘乙酸和香蕉泥得到,第一培养基中细胞分裂素的浓度为1mg/L,赤霉素的浓度为0.2mg/L,萘乙酸的浓度为0.1mg/L,香蕉泥的浓度为50g/L;
第三步:切下第二步得到的新芽,接种到第二培养基中诱导丛生芽生长;第二培养基由在MS培养基中添加细胞分裂素、赤霉素、萘乙酸和香蕉泥得到,第二培养基中细胞分裂素的浓度为1.5mg/L,赤霉素的浓度为0.2mg/L,萘乙酸的浓度为0.15mg/L,香蕉泥的浓度为50g/L;
第四步:将丛生芽切成单芽后,接种到第三培养基上进行生根培养,得到生根的试管苗;第三培养基由在1/2MS培养基中添加吲哚丁酸和萘乙酸得到,第三培养基中吲哚丁酸的浓度为0.5mg/L,萘乙酸浓度为0.1mg/L;培养室温度23℃,每天12小时光照,光照强度3000LX。
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