[发明专利]一种制作半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制作半导体器件的方法，其特征在于，包括：

A）提供半导体衬底，所述半导体衬底包括周边区域和核心区域；

B）在所述半导体衬底上依次形成栅氧化物层和刻蚀停止层；

C）在所述刻蚀停止层上形成位于所述周边区域的第一伪栅极、位于所述核心区域的第二伪栅极以及包围所述第一伪栅极和所述第二伪栅极的介电层；

D）去除所述第一伪栅极和所述第二伪栅极，以形成第一开口和第二开口；以及

E）去除所述第一开口和所述第二开口内的刻蚀停止层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅氧化物层的厚度为用于形成所述周边区域内的栅极的栅氧化物层的厚度。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀停止层的材料与所述栅氧化物的材料不同，且与所述栅氧化物以及所述第一伪栅极和所述第二伪栅极的材料具有刻蚀选择比。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述C）步骤包括：

C1）在所述刻蚀停止层上形成伪栅极材料层；

C2）对所述伪栅极材料层进行刻蚀，以形成所述第一伪栅极和所述第二伪栅极；

C3）在所述第一伪栅极和所述第二伪栅极上以及所述刻蚀停止层上形成第一介电层；

C4）在所述第一介电层上形成第二介电层，所述第二介电层和所述第一介电层共同组成所述介电层；以及

C5）执行平坦化工艺以露出所述第一伪栅极和所述第二伪栅极。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述C）步骤还包括：

在所述C2）步骤之后执行第一离子注入工艺，以分别在所述第一伪栅极和所述第二伪栅极两侧的所述半导体衬底中形成浅掺杂区；以及

在所述C3）步骤之后执行第二离子注入工艺，以分别在所述第一伪栅极和所述第二伪栅极两侧的所述半导体衬底中形成源极和漏极。

6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述刻蚀停止层和所述第一介电层的材料均为氮化硅。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第二介电层为氧化硅。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法在步骤E）之后还包括：

F）在所述周边区域上形成图案化的光刻胶层；

G）去除所述第二开口内的部分栅氧化物层；

H）去除所述光刻胶层。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述方法在步骤H）之后还包括：

I）在所述第一开口和所述第二开口内依次形成界面层、高K材料层和金属材料层，以分别在所述第一开口和所述第二开口内形成第一金属栅极和第二金属栅极。

10.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述金属材料层的材料为铝。