[发明专利]具有石墨烯纳米带异质结构的隧穿场效应晶体管

权利要求书

1.一种具有石墨烯纳米带异质结构的隧穿场效应晶体管，其特征在于，包括源区、沟道区和漏区，所述源区和漏区分别形成于所述沟道区的两侧，所述沟道区的材料为石墨烯纳米带，所述源区的材料为p型掺杂的石墨烯纳米带，所述漏区的材料为n型掺杂的石墨烯纳米带，且所述源区的石墨烯纳米带的宽度大于所述沟道区、漏区的石墨烯纳米带的宽度。

2.如权利要求1所述的隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述沟道区和漏区的石墨烯纳米带的宽度相等。

3.如权利要求1所述的隧穿场效应晶体管，其特征在于，还包括衬底区，所述源区、沟道区和漏区均形成于所述衬底区上方。

4.如权利要求1或2或3所述的隧穿场效应晶体管，其特征在于，还包括形成于所述沟道区上方的栅叠层区。

5.如权利要求4所述的隧穿场效应晶体管，其特征在于，还包括形成于所述栅叠层区上方的栅电极、形成于所述源区上方的源电极，以及形成于所述漏区上方的漏电极。

6.如权利要求4所述的隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述栅叠层区包括位于上部的栅导电层和位于下部的栅绝缘层。

7.如权利要求5所述的隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述源电极与栅电极之间，所述栅电极与漏电极之间均具有绝缘层。

8.如权利要求5所述的隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述栅电极、源电极和漏电极的材料均为金属。