[发明专利]一种SiC基的新型纳米碳复合材料的制备方法有效

专利信息
申请号: 201210181890.1 申请日: 2012-06-04
公开(公告)号: CN103447097A 公开(公告)日: 2013-12-18
发明(设计)人: 包信和;李星运;周永华;潘秀莲 申请(专利权)人: 中国科学院大连化学物理研究所
主分类号: B01J32/00 分类号: B01J32/00;B01J27/224;B01J27/24
代理公司: 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 代理人: 马驰
地址: 116023 *** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 一种 sic 新型 纳米 复合材料 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种SiC基的新型纳米碳复合材料的制备方法,具体步骤如下:将SiC在He气氛下通过程序控制升高到700-1000℃,然后将CCl4通过He气鼓泡形式通入,反应0.1-5小时,在纯He气氛下降温。

2.如权利要求1所述的方法,其特征在于:所用SiC可以为α相、β相或者两者混合的SiC微粉,平均颗粒度为0.02-20μm。

3.如权利要求1所述的方法,其特征在于:在He气中添加CO2,添加比例为5-50%,利用混合气将CCl4鼓泡形式通入。

4.如权利要求1所述的方法,其特征在于:在He气鼓泡通入CCl4的同时通入NH3,NH3与CCl4气体比例为(0.5-5)/1。

5.如权利要求1所述的方法,其特征在于:所用的SiC可以为金属催化剂负载的SiC粉末,具体步骤如下:将SiC粉末浸润在金属盐溶液中,然后搅拌至干,烘箱中120℃干燥,在氢气气氛下于300-700℃还原5-10小时。

6.如权利要求5所述的方法,其特征在于:金属盐溶液为硝酸镍、硝酸铁、氯铂酸溶于水的溶液。

7.如权利要求1所述的方法,其特征在于:程序升温速率为每分钟1-15摄氏度。

8.如权利要求1所述的方法,其特征在于:He流速为5-150ml/min,CCl4流速为5-50ml/min。 

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