[发明专利]有机硅树脂组合物、薄片及其制造方法、光半导体元件装置有效
申请号: | 201210182088.4 | 申请日: | 2012-06-04 |
公开(公告)号: | CN102807756A | 公开(公告)日: | 2012-12-05 |
发明(设计)人: | 三谷宗久;片山博之;藤井春华 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
主分类号: | C08L83/07 | 分类号: | C08L83/07;C08L83/05;C08J5/18;C09K3/10;H01L33/56 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 硅树脂 组合 薄片 及其 制造 方法 半导体 元件 装置 | ||
1.一种有机硅树脂组合物,其特征在于,其含有:
1分子中兼有至少2个乙烯系不饱和烃基和至少2个氢化硅烷基的第一有机聚硅氧烷,和
不包含乙烯系不饱和烃基、1分子中具有至少2个氢化硅烷基的第二有机聚硅氧烷,和
氢化硅烷化催化剂,和
氢化硅烷化抑制剂。
2.根据权利要求1所述的有机硅树脂组合物,其特征在于,所述氢化硅烷化抑制剂含有氢氧化季铵。
3.一种有机硅树脂薄片,其特征在于,其为通过使有机硅树脂组合物半固化而得到的有机硅树脂薄片,所述有机硅树脂组合物含有:
1分子中兼有至少2个乙烯系不饱和烃基和至少2个氢化硅烷基的第一有机聚硅氧烷,和
不包含乙烯系不饱和烃基、1分子中具有至少2个氢化硅烷基的第二有机聚硅氧烷,和
氢化硅烷化催化剂,和
氢化硅烷化抑制剂。
4.根据权利要求3所述的有机硅树脂薄片,其特征在于,以7g/mm2的压力加压后的厚度是加压前的厚度的0.1~10%。
5.一种光半导体元件装置,其特征在于,其具备:
光半导体元件,和
通过使有机硅树脂薄片固化而得到的、密封所述光半导体元件的密封层,
所述有机硅树脂薄片是通过使有机硅树脂组合物半固化而得到的有机硅树脂薄片,所述有机硅树脂组合物含有:
1分子中兼有至少2个乙烯系不饱和烃基和至少2个氢化硅烷基的第一有机聚硅氧烷,和
不包含乙烯系不饱和烃基、1分子中具有至少2个氢化硅烷基的第二有机聚硅氧烷,和
氢化硅烷化催化剂,和
氢化硅烷化抑制剂。
6.一种有机硅树脂薄片的制造方法,其特征在于,其包括:
将有机硅树脂组合物涂覆在基材上的工序,和
将涂覆于所述基材上的所述有机硅树脂组合物在20~200℃下加热0.1~120分钟的工序,
所述有机硅树脂组合物含有:
1分子中兼有至少2个乙烯系不饱和烃基和至少2个氢化硅烷基的第一有机聚硅氧烷,和
不包含乙烯系不饱和烃基、1分子中具有至少2个氢化硅烷基的第二有机聚硅氧烷,和
氢化硅烷化催化剂,和
氢化硅烷化抑制剂。
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