[发明专利]有机硅树脂组合物、薄片及其制造方法、光半导体元件装置

说明书

援引技术说明

本申请主张2011年6月2日提出的日本专利申请No.2011-124490和2011年6月13日提出的日本专利申请No.2011-131537的优先权，并将其内容并入到本发明中。

技术领域

本发明涉及在光半导体元件的密封等中使用的有机硅树脂组合物、使该有机硅树脂组合物半固化而得到的有机硅树脂薄片、具有使该有机硅树脂组合物固化而得到的密封层的光半导体元件装置、及有机硅树脂薄片的制造方法。

背景技术

迄今为止，作为用于密封发光二极管（LED）等光半导体元件的密封材料，使用透明性优异的有机硅树脂。

作为这样的密封材料，例如已知有包含含有烯基的有机聚硅氧烷和有机氢聚硅氧烷的有机硅树脂组合物（例如参照日本特开2000-198930号公报、日本特开2004-186168号公报及日本特开2008-150437号公报。）。

这样的有机硅树脂组合物通常在室温下为液态，通过在铂催化剂的存在下加热，有机聚硅氧烷的烯基与有机氢聚硅氧烷的氢化硅烷基发生加成反应而固化。

并且，使用这样的有机硅树脂组合物密封光半导体元件时，例如已知向配置光半导体元件的壳体内填充有机硅树脂组合物并使其固化的方法。

但是，该方法中，液态的有机硅树脂组合物的粘度等有时会因作业环境发生改变，有时难以稳定地填充有机硅树脂组合物。

于是，例如提出了将包含具有含环状醚基（具体而言为缩水甘油基、环氧环己基、氧杂环丁烷基）的有机硅树脂和含有与含环状醚基反应的热固化剂的密封薄片用组合物加热、干燥来制作光半导体用密封薄片，使用该光半导体用密封薄片密封光半导体元件的方法（例如参照日本特开2009-84511号公报。）。

发明内容

并且，对使用上述日本特开2000-198930号公报、日本特开2004-186168号公报及日本特开2008-150437号公报中记载的有机硅树脂组合物并如上述日本特开2009-84511号公报所述制作光半导体用密封薄片时，控制烯基和氢化硅烷基的加成反应而将有机硅树脂组合物制成半固化状态的方案进行了探讨。

但是，这种情况下，难以控制有机硅树脂组合物中烯基和氢化硅烷基的反应，因此，难以使有机硅树脂组合物均匀地半固化。

因此，本发明的目的在于，提供能均匀地半固化的有机硅树脂组合物、使该有机硅树脂组合物半固化而得到的有机硅树脂薄片、具有使该有机硅树脂组合物固化而得到的密封层的光半导体元件装置、及有机硅树脂薄片的制造方法。

本发明的有机硅树脂组合物的特征在于，含有：1分子中兼有至少2个乙烯系不饱和烃基和至少2个氢化硅烷基的第一有机聚硅氧烷，和不含有乙烯系不饱和烃基、1分子中具有至少2个氢化硅烷基的第二有机聚硅氧烷，和氢化硅烷化催化剂，和氢化硅烷化抑制剂。

另外，本发明的有机硅树脂组合物中，优选前述氢化硅烷化抑制剂含有氢氧化季铵。

另外，本发明的有机硅树脂薄片的特征在于，通过使上述有机硅树脂组合物半固化而得到。

另外，本发明的有机硅树脂薄片中，优选以7g/mm²的压力加压后的厚度为加压前的厚度的0.1~10%。

另外，本发明的光半导体元件装置的特征在于，其具备：光半导体元件，和通过使上述有机硅树脂薄片固化而得到的、密封前述光半导体元件的密封层。

另外，本发明的有机硅树脂薄片的制造方法的特征在于，其包括：将上述有机硅树脂组合物涂覆在基材上的工序；和将前述涂覆于基材的前述有机硅树脂组合物在20~200℃下加热0.1~120分钟的工序。

根据本发明的有机硅树脂组合物，其含有：1分子中兼有至少2个乙烯系不饱和烃基和至少2个氢化硅烷基的第一有机聚硅氧烷，和不含有乙烯系不饱和烃基、1分子中具有至少2个氢化硅烷基的第二有机聚硅氧烷，和氢化硅烷化催化剂，和氢化硅烷化抑制剂。

因此，可以边通过氢化硅烷化抑制剂抑制第一有机聚硅氧烷的乙烯系不饱和烃基和第二有机聚硅氧烷的氢化硅烷基的氢化硅烷化反应，边进行第一有机聚硅氧烷的氢化硅烷基和第一有机聚硅氧烷的氢化硅烷基的缩合反应。

其结果，可以使有机硅树脂组合物均匀地半固化。

附图说明

图1是光半导体元件装置的构成示意图。

具体实施方式

本发明的有机硅树脂组合物含有第一有机聚硅氧烷、和第二有机聚硅氧烷、和氢化硅烷化催化剂、和氢化硅烷化抑制剂作为必要成分。