[发明专利]一种生长氧化锌晶体的方法有效

专利信息
申请号: 201210182714.X 申请日: 2012-06-05
公开(公告)号: CN102703973A 公开(公告)日: 2012-10-03
发明(设计)人: 马剑平;吴盼儒;刘洋;刘富丽 申请(专利权)人: 西安理工大学
主分类号: C30B23/06 分类号: C30B23/06;C30B23/00;C30B29/16
代理公司: 西安弘理专利事务所 61214 代理人: 李娜
地址: 710048*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 生长 氧化锌 晶体 方法
【权利要求书】:

1.一种生长氧化锌晶体的方法,其特征在于:在真空下,通入保护气,以氧化锌粉为粉源,将氧化锌粉加热使其升华为气体,所述升华的气体在温度梯度作用下被输运到氧化锌籽晶表面且结晶生长。

2.如权利要求1所述的生长氧化锌晶体的方法,其特征在于:具体步骤为:

步骤一,将装有氧化锌粉的坩埚置于真空室内的加热器中,抽真空,通入保护气并加热至氧化锌粉烧结温度;

步骤二,降温至室温并对真空室放气,将氧化锌籽晶粘附在籽晶托表面上,对真空室抽真空,通入保护气,加热,使氧化锌籽晶与氧化锌粉源之间形成温度梯度;

步骤三,减小通入保护气的流量,降压至1-100Pa,使氧化锌粉升华为气体并处于过饱和状态开始在氧化锌籽晶表面结晶生长。

3.如权利要求2所述的生长氧化锌晶体的方法,其特征在于:

步骤一中,氧化锌粉烧结温度为1500-1700℃,烧结压力为0.5-0.8MPa;

步骤二中,氧化锌籽晶与氧化锌粉源之间的间隔为5-20mm,通入保护气使真空室压力达到0.7-0.9MPa,氧化锌粉源温度达1600-1700℃,氧化锌籽晶与氧化锌粉源之间的温差在20-200℃之间。

4.如权利要求1-3任一项所述的生长氧化锌晶体的方法,其特征在于:所述保护气为Ar气或N2气或Ar气与O2或N2与O2的混合气体;所述氧化锌粉的纯度为99.99%。

5.如权利要求1-3任一项所述生长氧化锌晶体的方法,其特征在于:通过生长氧化锌晶体装置完成,所述生长氧化锌晶体装置包括加热器和生长 室,所述生长室设置在真空室(25)内且通过所述加热器加热,所述加热器外设有保温层。

6.如权利要求5所述生长氧化锌晶体的方法,其特征在于:所述加热器为铱金发热体,同时兼作组成生长室的坩埚体。

7.如权利要求6所述生长氧化锌晶体的方法,其特征在于:所述生长室包括坩埚(15)和坩埚盖(2)。

8.如权利要求7所述生长氧化锌晶体的方法,其特征在于:所述坩埚盖(2)设置有籽晶托,籽晶(3)贴附在所述籽晶托表面上。

9.如权利要求5所述生长氧化锌晶体的方法,其特征在于:所述保温层由氧化铝材料构成,包括保温盖(1)、保温垫(11)和内、外保温桶(8,10)及其夹层填充物(9)。

10.如权利要求9所述生长氧化锌晶体的方法,其特征在于:所述内保温桶(10)由80% Al2O3和20% SiO2构成耐热层,所述外保温桶(8)由66% Al2O3和34% SiO2构成外保温层,夹层填充物(9)由85% Al2O3和15% SiO2构成绝热层。 

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