[发明专利]制造磁极和护罩的方法

权利要求书

1.一种制造用于数据存储系统的磁记录换能器的过程，所述磁记录换能器具有主磁极，其中所述主磁极包括磁极顶部、多个侧面以及毗邻所述多个侧面中的至少一个的护罩，该过程包括：

提供衬底、下层和第一非磁性中间层，所述第一非磁性中间层在所述下层上沉积至第一厚度并与所述下层接触；

在所述第一中间层的第一部分上执行第一扫描抛光以平面化所述第一中间层的所述第一部分至第二厚度；

在平面化的所述第一中间层的所述第一部分中提供所述主磁极；

提供位于所述第一中间层的所述第一部分上并与其接触的光阻材料的第一图案，所述图案包括限定侧面护罩沟槽的孔隙；

执行湿蚀刻以去除所述第一中间层的至少部分，从而暴露所述多个主磁极侧面的至少一个，以及

在所述侧面护罩沟槽中沉积侧面护罩材料。

2.根据权利要求1所述的过程，其中所述第一中间层的所述第一部分包括多个主磁极。

3.根据权利要求1所述的过程，其中所述第一中间层的所述第一部分包括至少一个光刻闪光范围。

4.根据权利要求1所述的过程，其中利用离子束执行所述第一扫描抛光。

5.根据权利要求1所述的过程，其中所述第一中间层包括氧化铝。

6.根据权利要求1所述的过程，其中所述第二厚度在所述第一中间层的第一部分内在大约小于1.5nm内是平面的。

7.根据权利要求1所述的过程，其中所述下层包括下面中的至少一个：

反应离子蚀刻停止层，

湿蚀刻停止层，

磁耦合层，以及

非磁绝缘层。

8.根据权利要求1所述的过程，其中在所述第一中间层提供所述主磁极进一步包括：

在所述第一中间层上形成硬掩模；

在所述第一中间层中蚀刻主磁极沟槽；

在所述主磁极沟槽中电镀磁性材料；

执行第二CMP以去除硬掩模之上的磁性材料，以及

去除所述硬掩模。

9.根据权利要求8所述的过程，其中所述硬掩模包括钽或钌。

10.根据权利要求8所述的过程，其中蚀刻所述磁极沟槽包括使用反应离子蚀刻。

11.根据权利要求8所述的过程，其中电镀的磁性材料包括CoNiFe或CoFe。

12.根据权利要求8所述的过程，其中去除所述硬掩模包括反应离子蚀刻。

13.一种制造用于数据存储系统的磁记录换能器的过程，所述磁记录换能器具有主磁极，其中所述主磁极包括磁极顶部、多个侧面以及毗邻所述多个侧面中至少一个的护罩，该过程包括：

提供衬底、下层以及第一非磁性中间层，所述第一非磁性中间层在所述下层上沉积至第一厚度并与所述下层接触；

在所述第一中间层的第一部分上执行第一扫描抛光以平面化所述第一中间层的所述第一部分到第二厚度；

在平面化的所述第一中间层的所述第一部分中提供所述主磁极；

提供位于所述第一中间层的所述第一部分上并与其接触的光阻材料的第一图案，所述图案包括限定侧面护罩沟槽的孔隙；

在所述孔隙内蚀刻侧面护罩沟槽以及用护罩材料填充所述侧面护罩沟槽；

在所述第一中间层的所述第一部分的至少部分上方提供第二中间层；

执行化学机械抛光即CMP以将所述第二中间层的厚度减少为小于所述磁极顶部以上第一高度；

在所述第二中间层上执行第二扫描抛光至小于所述磁极顶部以上第二高度；

执行离子研磨以暴露所述磁极顶部；

在所述主磁极顶部上提供写缺口层，以及

提供顶部护罩，所述顶部护罩的至少部分在所述写缺口层上。

14.根据权利要求13所述的过程，其中在所述第一中间层中提供所述主磁极进一步包括：

在所述第一中间层上形成硬掩模；

在所述第一中间层内蚀刻主磁极沟槽；

在所述主磁极沟槽内电镀磁性材料；

执行化学机械抛光以去除所述硬掩模之上的磁性材料，以及

去除硬掩模。

15.根据权利要求13所述的过程，其中所述护罩材料包括NiFe。