[发明专利]MOS晶体管结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201210183105.6 | 申请日： | 2012-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN103456786A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 刘金华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mos 晶体管 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种MOS晶体管结构，包括：
一衬底；
形成于所述衬底中的隔离体；
形成于所述衬底以及隔离体上的轻掺杂层；以及
形成于所述轻掺杂层上的无掺杂层和栅极结构。
2.如权利要求1所述的MOS晶体管结构，其特征在于，还包括：形成于所述隔离体两侧的源极区域和漏极区域。
3.如权利要求1所述的MOS晶体管结构，其特征在于，所述隔离体为氧化硅，所述隔离体的厚度范围为10nm~200nm。
4.如权利要求1所述的MOS晶体管结构，其特征在于，所述轻掺杂层的厚度范围为10nm~100nm。
5.如权利要求1所述的MOS晶体管结构，其特征在于，所述无掺杂层为硅，所述无掺杂层的厚度范围为2nm~20nm。
6.如权利要求1所述的MOS晶体管结构，其特征在于，所述无掺杂层的截面宽度小于或等于所述隔离体的截面宽度。
7.如权利要求1所述的MOS晶体管结构，其特征在于，所述隔离体被分割为第一隔离块和第二隔离块，所述无掺杂层的截面宽度小于或等于所述第一隔离块和第二隔离块的间距。
8.一种MOS晶体管结构的制造方法，包括：
提供一衬底；
在所述衬底上形成隔离体；
在所述衬底和隔离体上生长外延层；
对所述外延层进行第一次离子注入形成轻掺杂层；以及
在所述轻掺杂层上形成无掺杂层。
9.如权利要求8所述的MOS晶体管结构的制造方法，其特征在于，在所述轻掺杂层上形成无掺杂层之后，还包括：
在所述无掺杂层上形成栅极结构；
以所述栅极结构为掩膜对所述衬底进行第二次离子注入；
在所述栅极结构侧壁形成栅极侧墙；以及
以所述栅极侧墙为掩膜对所述衬底进行第三次离子注入形成源极区域和漏极区域。
10.如权利要求8所述的MOS晶体管结构的制造方法，其特征在于，所述无掺杂层的截面宽度小于或等于所述隔离体的截面宽度。
11.如权利要求8所述的MOS晶体管结构的制造方法，其特征在于，所述隔离体被分割为第一隔离块和第二隔离块，所述无掺杂层的截面宽度小于等于所述第一隔离块和第二隔离块的间距。
12.如权利要求8所述的MOS晶体管结构的制造方法，其特征在于，所述外延层最大厚度的范围为10nm~100nm。
13.如权利要求9所述的MOS晶体管结构的制造方法，其特征在于，所述第二次离子注入剂量大于第一次离子注入剂量，所述第二次离子注入能量小于第一次离子注入能量。
14.如权利要求13所述的MOS晶体管结构的制造方法，其特征在于，所述第一次离子注入的注入能量范围为10kev～1000kev，注入剂量的范围为1E12/cm2~1E14/cm2。
15.如权利要求13所述的MOS晶体管结构的制造方法，其特征在于，所述第二次离子注入的注入能量范围为1kev~100kev，注入剂量的范围为1E13/cm2~1E15/cm2。
16.如权利要求13所述的MOS晶体管结构的制造方法，其特征在于，所述第三次离子注入的注入能量范围为1kev~100kev，注入剂量的范围为1E14/cm2~1E16/cm2。
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