[发明专利]一种掩膜版及套刻精度的测量方法有效
| 申请号： | 201210183489.1 | 申请日： | 2012-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN103454852A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 舒强;黄宜斌 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/42 | 分类号： | G03F1/42;G03F7/20;G03F9/00;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 掩膜版 精度 测量方法 | ||
1.一种掩膜版，其特征在于，包括：图案区及外围区；
所述外围区具有用于对准的多个第一标记A及多个第二标记B，其中，第一标记A与第二标记B具有不同的尺寸。
2.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述第一标记A和第二标记B的数量各为2个。
3.如权利要求2所述的掩膜版，其特征在于，所述第一标记A和第二标记B沿顺时针排列顺序为AABB。
4.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述第一标记A和第二标记B的数量各为4个。
5.如权利要求4所述的掩膜版，其特征在于，所述第一标记A和第二标记B沿顺时针排列顺序为ABABABAB。
6.如权利要求1至5中的任一项所述的掩膜版，其特征在于，所述第一标记A和第二标记B的形状均为矩形。
7.一种套刻精度的测量方法，其特征在于，包括：
利用如权利要求1至6中的任一项所述的掩膜版对晶圆进行第一层曝光，形成多个曝光单元，其中，相邻两个曝光单元具有如下状态：一个曝光单元的第一标记A与另一个曝光单元的第二标记B嵌套；
测量嵌套的第一标记A和第二标记B之间的关系，以获取第一层的曝光单元间的套刻精度。
8.如权利要求7所述的套刻精度的测量方法，其特征在于，所述嵌套的第一标记A和第二标记B之间的关系包括：横向偏移差异、纵向偏移差异、横向缩放差异、纵向缩放差异及旋转差异中的一种或多种。
9.如权利要求7所述的套刻精度的测量方法，其特征在于，还包括：将所述第一层的曝光单元间的套刻精度上传至先进过程控制系统。
10.如权利要求9所述的套刻精度的测量方法，其特征在于，将所述第一层的曝光单元间的套刻精度上传至先进过程控制系统后，还包括如下步骤：
对经过第一层曝光工艺的晶圆进行第二层曝光工艺；
测量第二层曝光工艺与第一层曝光工艺的层间套刻精度。
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