[发明专利]樱桃砧木嫩茎段离体培养方法

权利要求书

1.一种樱桃砧木嫩茎段离体培养方法，其特征在于，具体步骤如下：

第一步：选取新抽生的半木质化的嫩枝，剪去叶片，用洗洁精清洗，在超净工作台上先用75vol％的乙醇溶液浸泡消毒1min，然后用0.1vol％的升汞溶液浸泡消毒15min，再用无菌水冲洗，最后用无菌滤纸吸干水份；

第二步：将第一步得到的嫩枝切成1cm长的茎段，每个茎段带1-2个茎节，接种于第一培养基中诱导腋芽萌发生长；

第三步：切下第二步得到的新芽，接种于第二培养基中诱导丛生芽生长；

第四步：将第三步得到的丛生芽切成单芽后，接种于第三培养基上进行生根培养，得到生根的试管苗；

第五步：将第四步得到的试管苗移入体积比为1∶1的泥炭+珍珠岩的基质中，装入塑料穴盘中育成穴盘苗，移栽后浇足水，第二天开始叶面喷洒清水，每天2次，半月后追施营养液，每月二次，经三个月以上培养后，移至塑料大棚作砧木大苗培养。

2.根据权利要求1所述的樱桃砧木嫩茎段离体培养方法，其特征在于，所述第二步中的第一培养基为：1/2MS基本培养基+2mg/L玉米素+0.2mg/L萘乙酸。

3.根据权利要求1所述的樱桃砧木嫩茎段离体培养方法，其特征在于，所述第三步中的第二培养基为：MS基本培养基+1mg/L细胞分裂素+0.5mg/L激动素+0.5mg/L吲哚丁酸。

4.根据权利要求1所述的樱桃砧木嫩茎段离体培养方法，其特征在于，所述第四步中的第三培养基为：1/2MS基本培养基+0.5mg/L吲哚丁酸+0.1mg/L半木质化嫩枝萘乙酸。

5.根据权利要求1所述的樱桃砧木嫩茎段离体培养方法，其特征在于，所述第二步中的第一培养基、第三步中的第二培养基和第四步中的第三培养基均置于23℃，光照为12h/d，光照强度为3000lx的条件下培养。

6.根据权利要求1所述的樱桃砧木嫩茎段离体培养方法，其特征在于，所述第五步中的营养液为什么浓度为0.1％的磷酸二氢钾与什么浓度为+0.1％的硝酸铵的混合液。