[发明专利]双层光学滤色结构无效
申请号: | 201210184311.9 | 申请日: | 2012-06-06 |
公开(公告)号: | CN102707361A | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
发明(设计)人: | 李轲;王丽国;黄学骄;贺振鑫 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | G02B5/20 | 分类号: | G02B5/20 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 汤保平 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 双层 光学 结构 | ||
技术领域
本发明属于光学滤波技术领域,特别是一种基于金属银材料的由圆孔阵列和圆环阵列构成的双层光学滤色结构。
背景技术
金属打孔阵列增透结构的研究是最近十几年来兴起的,最早在1998年,T.W.Thomos的研究小组发现在金属银薄膜上打穿四方格子的周期圆孔阵列,该结构具有一系列不同波长的透射峰。这些透射峰的强度远远高于此前人们理论预计的,它们的透射强度对孔占有的面积归一化能够超过100%。而且,这些透射峰的位置是直接受圆孔阵列决定的。而除了这些透射峰以外的波长,其透射值很小。因此,人们可以利用这种结构实现对某些特定波长的光波的超透射效果来实现对特定颜色的滤光。
从实用的角度来看,单层的金属打孔阵列光学滤色结构也存在一定的缺陷,这些缺陷主要包括:1、可透过的波长不是单一的,具有多个可以透射的波长,而且透射的线型不是很规则;2、对称性差,虽然有较强的透射,但是能达到的透射率最多也只有百分之十几到百分之二十几;3、增透光与非增透光的抑制比不高。
发明内容
(一)要解决的技术问题
有鉴于此,本发明要解决的技术问题是:如何提供一种光学滤色结构,从而能够获得更好的透射线型,更好地调节需要的增透波长,提高透射光与非透射光的信号抑制比。
(二)技术方案
为达到上述目的,本发明提供了一种双层光学滤色结构,包括:具有周期性圆孔的金属银层,该周期性圆孔构成圆孔阵列;以及位于该金属银层正上方的由金属银构成的圆环阵列,该圆环阵列正对于该圆孔阵列。
上述方案中,所述金属银层与该圆环阵列上下两层是平行放置的,且上下两层之间的间隙是20纳米厚度的空气。
上述方案中,所述金属银层的厚度是30nm。所述金属银层具有周期排列的圆孔阵列,圆孔阵列是按照六方晶格排列的,且其晶格常数可调。所述圆孔阵列的每个圆孔高度是30纳米,正好贯穿所述金属银层;所述圆孔阵列的每个圆孔的半径是300纳米,圆孔内是空气。
上述方案中,所述圆环阵列的厚度是70纳米。所述圆环阵列是按照六方晶格排列的,其晶格常数与所述圆孔阵列的晶格常数相同。所述圆环阵列的每个圆环的外半径可调,且与所述圆孔阵列中圆孔的半径相同,每个圆环的内半径都是110纳米,内半径以内都是空气。
上述方案中,所述圆孔阵列与所述圆环阵列所用的材料均是金属银。所述圆环阵列的每个圆环正好位于所述圆孔阵列的每个圆孔的正上方,每个圆环的外圆与其正下方的圆孔在平行于所述金属银层的平面上的投影是重合的。
(三)有益效果
本发明提供的基于金属银材料的由圆孔阵列和圆环阵列构成的双层光学滤色结构,是在单层打有圆孔阵列的金属银层的上方在再加上一层金属银的圆环阵列,同时将下层的金属银层减薄,并且将圆孔增大,这样可以使得在这种双层结构的下表面激发更强的表面等离激元,从而所导致的增透光强更强,提高透射信号的抑制比,并且透射曲线的线型更加光滑、对称性更强。而且,本发明提供的结构可以通过调节圆孔、圆环阵列的周期来选择所需要的透射波长。
附图说明
以下结合附图,进一步说明本发明的结构、特点以及技术上的改进,其中:
图1是本发明提供的基于金属银材料的由圆孔阵列和圆环阵列构成的双层光学滤色结构的总体立体图;由于本结构是周期重复排列的,所以图中只画出一个基本六方格子单元。
图2是本发明提供的基于金属银材料的由圆孔阵列和圆环阵列构成的双层光学滤色结构的侧面剖视图,是从侧面来观察的效果图。
图3是本发明提供的双层结构的下层结构的俯视图,显示了打有圆孔阵列的金属银层的结构图,圆孔阵列按六方晶格排列。
图4是本发明提供的双层结构的上层结构的俯视图,显示了金属银圆环的阵列,金属银圆环阵列是按照六方晶格排列的。
图5是本发明提供的基于金属银材料的由圆孔阵列和圆环阵列构成的双层光学滤色结构的工作方式图,是从侧面来观察的剖视图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白,以下结合具体实施例,并参照附图,对本发明进一步详细说明。
下面结合3个附图和实施例,详细说明本发明的工作原理和具体实施方式。以下实施例用以说明本发明,具体参数也只说明本实施例,对于本发明的适用范围来说,具体的参数还可以调节的。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所,未经中国科学院半导体研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210184311.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。