[发明专利]薄膜晶体管基板以及显示器

权利要求书

1.一种薄膜晶体管基板，包括：

基板；

多个薄膜晶体管，设置于该基板上，其中，每一薄膜晶体管包含：

栅极，配置于该基板上；

第一扩散阻障层，配置于该基板上并覆盖该栅极；

栅绝缘层，配置于该第一扩散阻障层上；

有源层，配置于该栅绝缘层上，并位于该栅极上方；

源极，配置于该基板上并电连接该有源层；

漏极，配置于该基板上并电连接该有源层；以及

保护层，覆盖该源极与该漏极。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中该第一扩散阻障层的材质包括氮化物、金属氧化物、或前述的组合。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管基板，其中该第一扩散阻障层的氮化物材质包括氮化硅。

4.如权利要求2所述的薄膜晶体管基板，其中该第一扩散阻障层的金属氧化物材质由氧化铝、氧化钛、氧化铪、硅铝氧化物或前述的组合。

5.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中该第一扩散阻障层的厚度约为10埃～5000埃。

6.如权利要求5所述的薄膜晶体管基板，其中该第一扩散阻障层的较佳的厚度约为500埃～1000埃。

7.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中该栅绝缘层包括一覆盖该第一扩散阻障层的第一膜层与一位于该第一膜层上的第二膜层，该第二膜层的氢含量低于该第一膜层的氢含量，且该第二膜层的氢含量约小于或等于20原子百分比。

8.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，还包括：

绝缘层，配置于该有源层上并覆盖该栅绝缘层，其中该源极与该漏极配置于该绝缘层上并贯穿该绝缘层而连接至该有源层。

9.如权利要求8所述的薄膜晶体管基板，还包括：

第二扩散阻障层，配置于该源极与该漏极上并覆盖该绝缘层。

10.如权利要求9所述的薄膜晶体管基板，其中该保护层还覆盖该第二扩散阻障层，且该保护层的材质不同于该第二扩散阻障层的材质。

11.如权利要求9所述的薄膜晶体管基板，其中该第二扩散阻障层的厚度约为1000埃～2000埃。

12.如权利要求9所述的薄膜晶体管基板，其中该第一扩散阻障层的材质相同于该第二扩散阻障层的材质。

13.如权利要求9所述的薄膜晶体管基板，其中该第二扩散阻障层的材质包括氮化硅、氧化铝、氧化钛、氧化铪、或硅铝氧化物。

14.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，该栅极具有上表面以及环侧壁，而该栅极的上表面还设有一第三扩散阻障层，且该第三扩散阻障层位于该栅极与该第一扩散阻障层之间。

15.如权利要求14所述的薄膜晶体管基板，其中该第三扩散阻障层的材质包括钼、钛、铝、铬、或前述材料的合金。

16.如权利要求14所述的薄膜晶体管基板，其中该第三扩散阻障层的边缘对齐该栅极的环侧壁。

17.如权利要求14所述的薄膜晶体管基板，其中该第三扩散阻障层(盖层)的边缘小于或等于该栅极的边缘。

18.一种显示器，包括：

如权利要求1所述的薄膜晶体管基板；

基板，与该薄膜晶体管基板相对设置；以及

显示介质，形成于该薄膜晶体管基板与该基板之间。

19.如权利要求18所述的显示器，其中该显示介质为一液晶层。

20.如权利要求18所述的显示器，其中该显示介质为一有机发光层。