[发明专利]薄膜晶体管基板以及显示器在审
申请号: | 201210185196.7 | 申请日: | 2012-06-05 |
公开(公告)号: | CN103456738A | 公开(公告)日: | 2013-12-18 |
发明(设计)人: | 李冠锋 | 申请(专利权)人: | 群康科技(深圳)有限公司;奇美电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 以及 显示器 | ||
技术领域
本发明涉及薄膜晶体管,且特别是涉及具有扩散阻障层的薄膜晶体管基板以及显示器。
背景技术
随着显示科技的日益进步,人们借着显示器的辅助可使生活更加便利,为求显示器轻、薄的特性,促使平面显示器(flat panel display,FPD)成为目前的主流。在诸多平面显示器中,液晶显示器(liquid crystal display,LCD)具有高空间利用效率、低消耗功率、无辐射以及低电磁干扰等优越特性,因此,液晶显示器深受消费者欢迎。
液晶显示器主要是由有源阵列基板、彩色滤光基板与位于两基板之间的液晶层所构成。有源阵列基板具有有源区以及周边电路区。有源阵列位于有源区内,而具有多个薄膜晶体管的驱动电路则位于周边电路区内。目前,薄膜晶体管使用栅(闸)绝缘层分隔于栅极与有源层之间,以使栅极与有源层彼此绝缘,然而,栅极的材质容易扩散进入栅绝缘层,以至于影响栅绝缘层的绝缘特性。
发明内容
为解决上述问题,本发明一实施例提供一种薄膜晶体管基板,包括:一基板;多个薄膜晶体管,设置于基板上,其中,每一薄膜晶体管包含:一栅极,配置于基板上;一第一扩散阻障层,配置于基板上并覆盖栅极;一栅绝缘层,配置于第一扩散阻障层上;一有源层,配置于栅绝缘层上,并位于栅极上方;一源极,配置于基板上并电连接有源层;一漏极,配置于基板上并电连接有源层;以及一保护层,覆盖源极与漏极。
本发明一实施例提供一种显示器包括:一在一实施例中,薄膜晶体管基板;一基板,与薄膜晶体管基板相对设置;以及一显示介质,形成于薄膜晶体管基板与基板之间。
附图说明
图1为本发明一实施例的薄膜晶体管基板的剖视图;
图2与图3为本发明多个实施例的薄膜晶体管基板的剖视图;。
图4为本发明一实施例的薄膜晶体管基板的剖视图;
图5与图6为本发明多个实施例的薄膜晶体管基板的剖视图;
图7为本发明一实施例的显示器的剖视图。
主要元件符号说明
100、200、400、500、710~薄膜晶体管基板;
110~基板;
120~栅极;
122~上表面;
124~环侧壁;
126~边缘;
130~第一扩散阻障层;
140~栅绝缘层;
142~第一膜层;
144~第二膜层;
150~有源层;
160~源极;
170~漏极;
180~绝缘层;
190~第二扩散阻障层;
210~第三扩散阻障层(盖层);
212~边缘;
700~显示器;
720~基板;
730~显示介质;
B1~第一底层;
B2~第二底层;
P~保护层;
S~薄膜晶体管;
T1、T2、T3、T4、T5~厚度。
具体实施方式
以下将详细说明本发明实施例的制作与使用方式。然应注意的是,本发明提供许多可供应用的发明概念,其可以多种特定型式实施。文中所举例讨论的特定实施例仅为制造与使用本发明的特定方式,非用以限制本发明的范围。此外,在不同实施例中可能使用重复的标号或标示。这些重复仅为了简单清楚地叙述本发明,不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间具有任何关连性。再者,当述及一第一材料层位于一第二材料层上或之上时,包括第一材料层与第二材料层直接接触或间隔有一或更多其他材料层的情形。在附图中,实施例的形状或是厚度可扩大,以简化或是方便标示。再者,图中未绘示或描述的元件,为所属技术领域中具有通常知识者所知的形式。
图1绘示本发明一实施例的薄膜晶体管基板的剖视图。请参照图1,本实施例的薄膜晶体管基板100包括一基板110、以及多个薄膜晶体管S,薄膜晶体管S设置于该基板110上。值得注意的是,为简化起见,图1仅绘示一个薄膜晶体管S为代表来进行说明,并非用以限定本发明。
每一薄膜晶体管S包含一栅极120、一第一扩散阻障层130、一栅绝缘层140、一有源层150、一源极160、一漏极170、以及一保护层P。此外,薄膜晶体管基板100可选择性地包括一绝缘层180。
详细而言,栅极120配置于基板110上。基板110的材质例如为玻璃或是其他适合的透明材料。栅极120的材质例如为铜、铝、钼、或是其他适合的导电材料。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于群康科技(深圳)有限公司;奇美电子股份有限公司,未经群康科技(深圳)有限公司;奇美电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210185196.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:像素单元及其制造方法、阵列基板和显示装置
- 下一篇:一种集团财务管理方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的