[发明专利]图像模块及其制造方法无效
申请号: | 201210187493.5 | 申请日: | 2012-06-07 |
公开(公告)号: | CN103474440A | 公开(公告)日: | 2013-12-25 |
发明(设计)人: | 赖孟修;郑顺舟;林昭琦 | 申请(专利权)人: | 百辰光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 中国*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像 模块 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种模块及其制造方法,特别涉及一种图像模块及其制造方法。
背景技术
现代电子产品的发展越来越朝向薄型化与小型化发展,目前图像相关产品的制造方式,大部分仍以传统的SMT(Surface-mount Technology)方式生产,但SMT工艺受限于感测元件(Sensor Die)需先用COB(Chip on Board)等方式先行封装后才能进行SMT,使得图像模块总高度及成本无法压低,不利于薄型化的需求,而较高阶的COB/FLIP CHIP工艺,虽可降低图像模块高度,但其建置及维护成本过高,若未达一定规模的生产,则并无经济效益。
缘此,请参阅图5,曾有业者研发出一种图像装置1(其申请案号为第099200919号),将图像传感器20“装设于电路板30”的开口中,并由接线50“实现电路板30”和图像传感器20的电性连接,目的是为降低高度,以利电子产品的小型化。惟查,仍有缺陷:图像传感器20“与镜头模块10”设置于同一板面,因而产生堆叠的高度,即使图像传感器20“设于电路板30”的开口中,但是使用传统COB工艺的晶粒黏着(Die Bond)及打线接合(Wire bond)又会产生接线50”及封胶60”的高度。
于是,本发明人有感上述缺陷的可改善,乃特潜心研究并配合学理的运用,终于提出一种设计合理且有效改善上述缺陷的本发明。
发明内容
本发明的主要目的是为提供一种图像模块及其制造方法,可有效降低图像模块的总高度,并且减少因额外封装工艺所产生的不良耗损。为了达成上述的目的,本发明披露一种图像模块,该图像模块包括:一镜头组件;一图像感测元件;一电路板,该电路板具有一开口、一第一板面、以及一第二板面,该图像感测元件设置于该第二板面且对应于该开口,该镜头组件装设于该第一板面且对应于该开口;以及一异方性导电胶,设置于该第二板面与该图像感测元件之间,使该图像感测元件电性连接于该电路板。
为达上述目的,本发明披露一种图像模块的制造方法,该制造方法包括以下步骤:提供一电路板,该电路板具有一开口、一第一板面、以及一第二板面;涂布一异方性导电胶于该第二板面;对位一图像感测元件及该电路板,并将该图像感测元件贴合于该第二板面,并使该图像感测元件对应于该开口;热压合该图像感测元件及该异方性导电胶,以使该图像感测元件固接于该第二板面;装设一镜头组件于该第一板面,并使该镜头组件对应于该开口;以及封装该图像感测元件。
相较于现有技术,利用异方性导电胶将图像感测元件与电路板作压合的动作,使其金属垫互相导通,达到与COB/FLIP CHIP工艺相当或更低的模块高度,且图像感测元件是固接于电路板的第二板面,而镜头组件是装设于电路板的第一板面,取代传统的图像模块工艺皆是将图像感测元件与镜头组件设置于同一板面,因而产生堆叠的高度。因此,本发明能有效降低模块总高度,以符合薄型化的需求,且直接将图像感测元件作为原材料压合于电路板,待测试完后在进行封装,减少因额外封装工艺所产生的不良耗损。
附图说明
图1为本发明的立体图。
图2A为本发明的立体分解图。
图2B为本发明的另一立体分解图。
图3A为本发明的剖视图。
图3B为本发明的图3A的A区的局部放大的剖视图。
图4为本发明的制造方法的流程图。
图5为现有技术的剖视图。
【主要元件符号说明】
〔现有技术〕
图像装置1”
镜头模块10”
图像传感器20”
电路板30”
金属板40”
接线50”
封胶60”
〔本发明〕镜头组件1
红外线板11
图像感测元件2
感测区21
第二金属垫22
电路板3
开口31
第一板面32
第二板面33
第一金属垫331
封装壳4
被动元件5
控制元件6
异方性导电胶7
绝缘热固性胶材71
导电粒子72
具体实施方式
为使对本发明的目的、构造、特征、及其功能有进一步的了解,现配合实施例详细说明如下:
请参阅图1,并请参阅图2A及图2B。本发明的图像模块包括有一镜头组件1、一图像感测元件2、一电路板3、一封装壳4、一被动元件5、以及一控制元件6。
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H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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