[发明专利]大通量超支化聚硅氧烷渗透汽化膜及其制备方法

权利要求书

1. 大通量超支化聚硅氧烷渗透汽化膜，其特征是配方包含如下组分，比例按重量份计：超支化聚硅氧烷10~30份、端羟基聚硅氧烷5~30份、催化剂0.1~0.5份、溶剂40~80份；

将多烷氧基硅烷、端羟基聚硅氧烷、催化剂和溶剂混合反应得到的铸膜液涂覆在高分子多孔底膜上，干燥后得产品大通量超支化聚硅氧烷渗透汽化膜。

2.大通量超支化聚硅氧烷渗透汽化膜的制备方法，其特征是采用以下工艺步骤，其配方比例按重量份计：

（1）超支化聚硅氧烷的合成：将10~40份多烷氧基硅烷与2.5~10份碱在40~80份溶剂中混合均匀后，在0~10℃条件下反应2~6h，然后加入4~15份酸中和后过滤，得到AB_x型单体溶液；在AB_x型单体溶液中加入0.1~0.5份催化剂，于30~100℃条件下反应12~36h，35~45℃旋蒸除去溶剂得到超支化聚硅氧烷；

（2）渗透汽化膜的制备：将5~30份端羟基聚硅氧烷、10~30份步骤（1）制备的超支化聚硅氧烷和0.1~0.5份催化剂在40~80份溶剂中混合均匀，并在60~120℃条件反应12~24h，形成铸膜液；将铸膜液均匀涂在平均孔径为50~100μm高分子多孔底膜上，涂层厚度为18~22μm，待溶剂自然挥发后放入80~150℃的真空烘箱中处理12~36h，得到产品大通量超支化聚硅氧烷渗透汽化膜。

3.根据权利要求1所述的大通量超支化聚硅氧烷渗透汽化膜，其特征是：所述端羟基聚硅氧烷为端羟甲基聚二甲基硅氧烷、端羟乙基聚二甲基硅氧烷或端羟甲基聚二苯基硅氧烷中的一种或几种混合物。

4.根据权利要求1所述的大通量超支化聚硅氧烷渗透汽化膜，其特征是：所述催化剂为二丁基二月桂酸锡、单丁基氧化锡或二丁基氧化锡。

5.根据权利要求1所述的大通量超支化聚硅氧烷渗透汽化膜，其特征是：所述高分子多孔底膜为聚丙烯腈超滤膜、聚偏氟乙烯超滤膜、聚醚砜超滤膜或聚砜超滤膜中的一种。

6.根据权利要求1所述的大通量超支化聚硅氧烷渗透汽化膜，其特征是：所述溶剂为甲苯、四氢呋喃、正己烷或环己烷中的一种或几种混合物。

7.根据权利要求1所述的大通量超支化聚硅氧烷渗透汽化膜的制备方法，其特征是：所述多烷氧基硅烷为乙烯基三乙氧基硅烷、四乙氧基硅烷、苯基三乙氧基硅烷和四甲氧基硅烷中的一种或几种混合物。

8.根据权利要求2所述的大通量超支化聚硅氧烷渗透汽化膜的制备方法，其特征是：所述碱为氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化锂、三乙胺或质量分数25％氨水中的一种或几种混合物。

9.根据权利要求2所述的大通量超支化聚硅氧烷渗透汽化膜的制备方法，其特征是：所述酸为乙酸、盐酸、磷酸或硫酸中的一种或几种混合物。