[发明专利]一种薄膜晶体管液晶显示装置及其制作方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管液晶显示装置，包括基板、多个像素区、多行扫描线和与所述多行扫描线交叉的多列数据线，每一所述像素区由相邻两行扫描线和相邻两列数据线围成，其特征在于，每个像素区内包括：

薄膜晶体管、透明电极和像素电极，所述像素电极通过所述薄膜晶体管与所述扫描线和所述数据线耦接，所述像素电极与所述透明电极交叠且绝缘，所述像素电极与前一行扫描线或后一行扫描线相交叠；

遮光电极，所述遮光电极与所述像素电极绝缘且所述遮光电极与所述像素电极的边缘至少有部分交叠，所述遮光电极与所述数据线绝缘且交叠；

所述透明电极和所述遮光电极均与所述前一行扫描线电连接或均与后一行扫描线电连接。

2.根据权利要求1所述显示装置，其特征在于，所述像素电极与前一行扫描线相交叠时，所述透明电极和所述遮光电极也均与所述前一行扫描线电连接；所述像素电极与后一行扫描线相交叠时，所述透明电极和所述遮光电极均与所述后一行扫描线电连接。

3.根据权利要求1所述显示装置，其特征在于，所述像素电极设置在所述透明电极上方。

4.根据权利要求3所述显示装置，其特征在于，所述遮光电极设置在所述数据线正下方。

5.根据权利要求4所述显示装置，其特征在于，所述扫描线和遮光电极位于第一金属层。

6.根据权利要求5所述显示装置，其特征在于，所述透明电极设置在一基板表面上。

7.根据权利要求6所述显示装置，其特征在于，所述扫描线和遮光电极设置在所述透明电极表面上。

8.根据权利要求5所述显示装置，其特征在于，所述扫描线、遮光电极和透明电极均设置在一基板表面上，且所述透明电极与所述扫描线、遮光电极均无交叠。

9.根据权利要求5所述显示装置，其特征在于，所述扫描线、遮光电极和部分透明电极均设置在一基板表面上，且所述透明电极分别与所述扫描线和/或遮光电极有部分交叠，在所述交叠部分，所述透明电极位于所述扫描线和/或遮光电极表面上。

10.根据权利要求5所述显示装置，其特征在于，所述扫描线、遮光电极和透明电极表面上覆盖有栅极绝缘层。

11.根据权利要求10所述显示装置，其特征在于，所述数据线位于第二金属层，且所述第二金属层位于所述栅极绝缘层表面上。

12.根据权利要求11所述显示装置，其特征在于，在所述栅极绝缘层和数据线表面上覆盖有钝化层，且所述钝化层内设置有过孔。

13.根据权利要求12所述显示装置，其特征在于，还包括：

扫描线输入端子，所述扫描线输入端子位于第一金属层；

数据线输入端子，所述数据线输入端子位于第二金属层。

14.一种薄膜晶体管液晶显示装置的制作方法，其特征在于，包括：

提供基板，所述基板表面上淀积有第一透明电极层，所述第一透明电极层表面上淀积有第一金属层；

利用第一张掩膜版图案化所述第一透明电极层和第一金属层，形成透明电极、扫描线、扫描线输入端子、遮光电极和薄膜晶体管的栅极，所述栅极和扫描线电连接，所述遮光电极和所述透明电极均与前一行扫描线或后一行扫描线电连接；

在所述透明电极、扫描线、扫描线输入端子、栅极和遮光电极表面上依次淀积栅极绝缘层和半导体层，利用第二张掩膜版图案化所述半导体层，形成薄膜晶体管的硅岛；

在所述硅岛和栅极绝缘层表面淀积第二金属层，利用第三张掩膜版图案化所述第二金属层，形成数据线、数据线输入端子、薄膜晶体管的源极和漏极；

在所述数据线、源极、漏极和栅极绝缘层表面上淀积钝化层，利用第四张掩膜版图案化所述钝化层，形成过孔；

在所述钝化层表面上淀积第二透明电极层，利用第五张掩膜版图案化所述第二透明电极层，形成像素电极，且所述像素电极通过过孔与所述漏极电连接。

15.根据权利要求14所述方法，其特征在于，所述第一张掩膜版为半灰阶掩膜版。