[发明专利]一种薄膜晶体管液晶显示装置及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，更具体的涉及一种薄膜晶体管液晶显示装置及其制作方法。

背景技术

信息化社会越来越需要轻薄便携式的显示设备，而当前最成熟的产品就是液晶显示装置（Liquid Crystal Display，LCD）了。液晶显示装置是非主动发光器件，在液晶显示装置工作时，位于液晶面板后面的背光源发出光线，同时会有电压通过基板上的电极施加到液晶上，然后根据所作用的电压改变液晶分子的排列，控制通过液晶的光量从而达到显示图像的效果。

薄膜晶体管液晶显示装置的阵列基板一般是通过薄膜沉积和光刻工艺实现的，每次光刻过程都会用到一块掩膜版，所以为了提高生产效率、降低生产成本，必须要减少光刻次数。然而，随着信息社会的不断发展，液晶显示装置的信息容量不断提升，其像素的分辨率也在不断提升，相应的，每个像素的面积越来越小。针对像素变小带来的显示装置显示画面的闪烁等风险，大多公司采用增加一次光刻过程，制作透明电极作为存储电容的附加层的方法。

现有的上述薄膜晶体管液晶显示装置阵列基板的制作方法为：

首先，在玻璃基板表面上淀积形成透明电极层，通过第一次光刻过程形成透明电极；随后淀积第一金属层，通过第二次光刻过程形成扫描线、栅极和存储电极线；然后在形成有扫描线、栅极和存储电极线的基板表面上依次淀积栅极绝缘层、非晶硅半导体有源层、n+掺杂非晶硅层，通过第三次光刻过程形成非晶硅有源岛；之后，在形成有栅极绝缘层和非晶硅有源岛的基板表面上淀积第二金属层，通过第三次光刻过程形成数据线、源极和漏极；然后在已形成数据线、源极和漏极的基板表面上淀积钝化层，通过第五次光刻过程，形成过孔；最后在钝化层表面上淀积透明像素电极层，通过第六次光刻过程，形成像素电极。

如图1所示，现有的具有透明电极的薄膜晶体管液晶显示装置，包括：

扫描线G1，扫描线G2，透明电极1，遮光电极2，存储电极线3，数据线S1，数据线S2，源极4，漏极5，栅极6，硅岛7，像素电极8。

数据线、扫描线和存储电极线定义出一个像素区，在扫描线和数据线交叉的位置处设置有薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的栅极与扫描线电连接，所述薄膜晶体管的源极与数据线电连接，所述薄膜晶体管的漏极与像素电极电连接，遮光电极与存储电极线电连接并和像素电极重叠，形成存储电容，同时透明电极也和存储电极线电连接并与像素电极重叠，形成存储电容。可见，此时阵列基板的存储电容较大，提高了画面品质。

但是，现有的具有透明电极的薄膜晶体管液晶显示装置的开口率较低。

发明内容

本发明提供了一种薄膜晶体管液晶显示装置及其制作方法，以解决现有的具有透明电极的薄膜晶体管液晶显示装置开口率较低的问题。

该薄膜晶体管液晶显示装置，包括基板、多个像素区、多行扫描线和与所述多行扫描线交叉的多列数据线，每一所述像素区由相邻两行扫描线和相邻两列数据线围成，每个像素区内包括：

薄膜晶体管、透明电极和像素电极，所述像素电极通过所述薄膜晶体管与所述扫描线和所述数据线耦接，所述像素电极与所述透明电极交叠且绝缘，所述像素电极与前一行扫描线或后一行扫描线相交叠；

遮光电极，所述遮光电极与所述像素电极绝缘且所述遮光电极与所述像素电极的边缘至少有部分交叠，所述遮光电极与所述数据线绝缘且交叠；

所述透明电极和所述遮光电极均与所述前一行扫描线电连接或均与后一行扫描线电连接。

优选的，所述像素电极与前一行扫描线相交叠时，所述透明电极和所述遮光电极也均与所述前一行扫描线电连接；所述像素电极与后一行扫描线相交叠时，所述透明电极和所述遮光电极均与所述后一行扫描线电连接。

优选的，所述像素电极设置在所述透明电极上方。

优选的，所述遮光电极设置在所述数据线正下方。

优选的，所述扫描线和遮光电极位于第一金属层。

优选的，所述透明电极设置在一基板表面上。

优选的，所述扫描线和遮光电极设置在所述透明电极表面上。

优选的，所述扫描线、遮光电极和透明电极均设置在一基板表面上，且所述透明电极与所述扫描线、遮光电极均无交叠。

优选的，所述扫描线、遮光电极和部分透明电极均设置在一基板表面上，且所述透明电极分别与所述扫描线和/或遮光电极有部分交叠，在所述交叠部分，所述透明电极位于所述扫描线和/或遮光电极表面上。

优选的，所述扫描线、遮光电极和透明电极表面上覆盖有栅极绝缘层。