[发明专利]一种抗单粒子辐照的超结VDMOS器件

权利要求书

1.一种抗单粒子辐照的超结VDMOS器件，包括第一导电类型重掺杂半导体衬底（2）、位于第一导电类型重掺杂半导体衬底（2）背面的金属化漏极电极（1）、位于第一导电类型重掺杂半导体衬底（2）正面的第一导电类型轻掺杂半导体外延层（3）；第一导电类型轻掺杂半导体外延层（3）顶部两侧分别具有一个第二导电类型半导体基区（5），每个第二导电类型半导体基区（5）中分别具有一个第一导电类型重掺杂半导体源区（6）和一个第二导电类型重掺杂半导体体区（7）；第一导电类型重掺杂半导体源区（6）和第二导电类型重掺杂半导体体区（7）二者与金属化源极电极（11）相接触；栅氧化层（8）覆盖于两个第二导电类型半导体基区（5）和它们之间的第一导电类型轻掺杂半导体外延层（3）的表面，栅氧化层（8）上表面是多晶硅栅电极（9），多晶硅栅电极（9）与金属化源极电极（11）之间是场氧化层（10）；

所述第一导电类型轻掺杂半导体外延层（3）中具有第二导电类型掺杂半导体柱区（4），第二导电类型掺杂半导体柱区（4）与旁边的第一导电类型轻掺杂半导体外延层（3）相间设置形成超结结构；所述第二导电类型掺杂半导体柱区（4）上端与第二导电类型半导体基区（5）相接触；

其特征在于，所述第二导电类型掺杂半导体柱区（4）下方具有一层二氧化硅介质层（12）。

2.根据权利要求1所述的抗单粒子辐照的超结VDMOS器件，其特征在于，所述二氧化硅介质层（12）与第二导电类型掺杂半导体柱区（4）下端接触，但和第一导电类型重掺杂半导体衬底（2）不接触。

3.根据权利要求1所述的抗单粒子辐照的超结VDMOS器件，其特征在于，所述二氧化硅介质层（12）也可位于第二导电类型掺杂半导体柱区（4）下方的第一导电类型轻掺杂半导体外延层（3）中，与第二导电类型掺杂半导体柱区（4）下端和第一导电类型重掺杂半导体衬底（2）均不接触。

4.根据权利要求1所述的抗单粒子辐照的超结VDMOS器件，其特征在于，所述二氧化硅介质层（12）与第一导电类型重掺杂半导体衬底（2）接触，但与第二导电类型掺杂半导体柱区（4）下端不接触。

5.根据权利要求1、2、3或4所述的抗单粒子辐照的超结VDMOS器件，其特征在于，所述第一导电类型为N型，第二导电类型为P型。

6.根据权利要求1、2、3或4所述的抗单粒子辐照的超结VDMOS器件，其特征在于，所述第一导电类型为P型，第二导电类型为N型。

7.根据权利要求1、2、3或4所述的抗单粒子辐照的超结VDMOS器件，其特征在于，所述半导体采用采用体硅、碳化硅、砷化镓、磷化铟或锗硅。