[发明专利]三维集成电路的制造方法有效
申请号: | 201210189854.X | 申请日: | 2012-06-08 |
公开(公告)号: | CN103021960A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 林俊成;吴文进;施应庆;洪瑞斌;卢思维;郑心圃;余振华 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/98 | 分类号: | H01L21/98 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 三维集成电路 制造 方法 | ||
1.一种方法,包括:
提供叠层,其中,将多个半导体管芯安装在晶圆的第一面上方;
模塑料层形成在所述晶圆的所述第一面上方,其中,所述多个半导体管芯内嵌在所述模塑料层中;
薄化所述晶圆的第二面直到暴露多个通孔;
将叠层附接至带框;以及
切割所述叠层,从而将所述叠层分成多个独立封装件。
2.根据权利要求1所述的方法,进一步包括:
将第一底部填充层形成在所述晶圆和所述多个半导体管芯之间。
3.根据权利要求1所述的方法,进一步包括:
将所述多个通孔形成在所述晶圆中;
将多个第一凸块形成在所述晶圆的所述第一面上方;以及
将第一再分布层形成在所述晶圆的所述第一面上方。
4.根据权利要求3所述的方法,其中,所述多个半导体管芯通过所述多个第一凸块和所述第一再分布层连接至所述晶圆。
5.根据权利要求1所述的方法,进一步包括:
将多个第二凸块形成在所述晶圆的所述第二面上方;以及
将第二再分布层形成在所述晶圆的所述第二面上方。
6.根据权利要求1所述的方法,进一步包括:
将所述带框与每个独立封装件分离。
7.根据权利要求6所述的方法,进一步包括:
将所述独立封装件附接至所述衬底上。
8.根据权利要求1所述的方法,进一步包括:
将保护层形成在所述模塑料层的外边缘和所述叠层的外边缘之间。
9.一种方法,包括:
提供叠层,其中,将多个半导体管芯安装在晶圆的第一面上方,其中,所述晶圆包括多个通孔;
将模塑料层形成在所述晶圆的所述第一面上方,其中,将所述多个半导体管芯内嵌在所述第一模塑料层中;
扩展所述模塑料层,以覆盖所述晶圆的外边缘;
薄化所述晶圆的第二面,从而暴露所述多个通孔;
将所述叠层附接至带框;以及
切割所述叠层,从而将所述叠层分成多个独立封装件。
10.一种结构,包括:
基板;以及
叠层,被安装在所述基板上方,包括:
多个半导体管芯,接合在管芯的第一面上方;以及
模塑料层,形成在所述管芯的所述第一面上方并覆盖所述管芯的外边缘,其中,将所述多个半导体管芯内嵌在所述模塑料层中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造