[发明专利]全芯片ESD保护电路有效
| 申请号： | 201210191429.4 | 申请日： | 2012-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN102693979B | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 李志国 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 芯片 esd 保护 电路 | ||
1.一种全芯片ESD保护电路，包括多个I/O单元、多个电源单元，其特征在于：该全芯片ESD保护电路还包括N个ESD触发单元，I/O单元与电源单元间隔设置并通过ESD触发总线连接，每个I/O单元均包含IO口ESD电路，每个电源单元均包含电源ESD电路，该N个ESD触发单元分别设置于芯片的各角落，并通过该ESD触发总线与各I/O单元、各电源单元连接。
2.如权利要求1所述的全芯片ESD保护电路，其特征在于：该IO口ESD电路包括正电压泄放电路、负电压泄放电路及功率嵌制电路，该正电压泄放电路正端接电源电压，负端接IO脚输出端，该负电压泻放电路正端接IO脚输出端，负端接电源电压地；该功率嵌制电路正端接该电源电压，负端接地，控制栅极接芯片的ESD触发总线。
3.如权利要求2所述的全芯片ESD保护电路，其特征在于：该电源ESD电路包括一ESD功率嵌制电路；其正端接该电源电压，负端接地，控制栅极接芯片的ESD触发总线。
4.如权利要求3所述的全芯片ESD保护电路，其特征在于：该ESD触发电路包括一电阻、一电容、一NMOS管及一PMOS管，其中该NMOS管与该PMOS管漏极相连，栅极互连，该NMOS管源极接地，该PMOS管源极接电源电压，该电阻与该电容串联连接，该电阻另一端接该电源电压，该电容另一端接地，该电阻与该电容的公共端接该NMOS管与该PMOS管的栅极，该NMOS管与该PMOS管的漏极输出接该ESD触发总线。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
