[发明专利]削弱侧壁再沉积的方法、刻蚀方法及半导体器件制造方法有效
| 申请号： | 201210191450.4 | 申请日： | 2012-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN102693906B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 熊磊;奚裴 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 削弱 侧壁 沉积 方法 刻蚀 半导体器件 制造 | ||
1.一种削弱侧壁再沉积的方法，其特征在于包括：
在衬底上布置栅极氧化物层；
在所述氧化物层上布置多晶硅层；
在所述多晶硅层上布置第一金属层；
在所述第一金属层上布置金属氮化物层；
在所述金属氮化物层上布置第二金属层；
在所述第二金属层上布置氮化硅层；
在所述氮化硅层上布置光刻胶层；
形成所述光刻胶层、所述氮化硅层以及所述第二金属层的上半部的包含侧壁的图案；
执行钨穿透步骤，其中从自下而上地喷射可与第二金属层的金属发生反应的反应气体，以清除所述侧壁上的基于第二金属层的金属的聚合物；以及
在钨穿透步骤之后执行所述光刻胶层的剥离。
2.根据权利要求1所述的削弱侧壁再沉积的方法，其特征在于，所述侧壁是半导体器件的栅极侧壁，并且所述氧化物层是栅极氧化物层。
3.根据权利要求1或2所述的削弱侧壁再沉积的方法，其特征在于，所述第一金属层是钛金属层。
4.根据权利要求1或2所述的削弱侧壁再沉积的方法，其特征在于，所述金属氮化物层是氮化钨层。
5.根据权利要求1或2所述的削弱侧壁再沉积的方法，其特征在于，所述第二金属层是钨金属层，并且所述基于第二金属层的金属的聚合物是基于钨的聚合物。
6.根据权利要求1或2所述的削弱侧壁再沉积的方法，其特征在于，所述削弱侧壁再沉积的方法用于制造MOS晶体管。
7.一种采用了根据权利要求1至6之一所述的削弱侧壁再沉积的方法的刻蚀方法。
8.一种采用了根据权利要求1至6之一所述的削弱侧壁再沉积的方法的半导体器件制造方法。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
