[发明专利]削弱侧壁再沉积的方法、刻蚀方法及半导体器件制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，更具体地说，本发明涉及一种削弱侧壁再沉积的方法、采用了该削弱侧壁再沉积的方法的刻蚀方法、以及采用了该削弱侧壁再沉积的方法的半导体器件制造方法。

背景技术

在半导体制造工艺过程中，为了形成期望的栅极结构，不可避兔地需要用到刻蚀工艺。

然而，在利用例如干法刻蚀土艺来刻蚀栅极的过程中，尤其是在制造比较复杂的栅极结构的刻蚀过程中，现有技术存在一些问题。具体地说，一般的，在采用了材料钨（w）的MOSFET（金属一氧化物一半导体）场效应晶体管的栅极的蚀刻工艺过程中，由于基于钨的产物在刻蚀(例如干法刻蚀)过程中不易被有效去除，这些末有效剥离的基于钨的聚一合物会沉积在栅极侧壁，尤其是钨冉沉积。

并且，在栅极刻蚀工艺之后的刻蚀清洗工艺中，很难将基于钨的聚合物从侧壁上剥离下来而不影响栅极的形貌这会降低器件的可靠性，从而降低电路的性能。

具体地说，图1示意性地示出了根据现有技术的半导体器件的栅极加工工艺的示意图。如图1所示，衬底1上布置了栅极氧化物层2，栅极氧化物层2上布置了多晶硅层3，多晶硅层3上布置了金属层4（例如钛（Ti）金属层），金属层4上布置了氮化钨（WN）层5，氮化钨层5上布置了钨层6，钨层6上布置了氮化硅层7，氮化硅层7上布置了光刻胶层8。

在图1所示的结构中，光刻胶层8、氮化硅层7以及上半部钨层6形成了图案（在图1的情况下，为栅极结构的图案）。

在现有技术中，在栅极的蚀刻下艺中，栅极（在本实施例中为钨栅极）金属相关层蚀刻采用小流量氦（He）气流，并且剥离步骤采用了较低功率的原位（in-situ）剥离压力。

但是，在该工艺条件下，如图1中的箭头所示出的，基于钨的聚合物9几乎不受气流的影响，最终仍沉积在栅极侧壁上，由此出现了钨再沉积。

所以，希望能够提出一种能够削弱或消除这种不期望出现的金属再沉积(尤其是钨再沉积)的方法。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种削弱或消除这种不期望出现的金属再沉积（尤其是钨再沉积）的削弱侧壁再沉积的方法、以及采用了该削弱侧壁再沉积的方法的半导体器件制造方法。

根据本发明的第一方面，提供了一种削弱侧壁再沉积的方法，其包括：在衬底上布置栅极氧化物层；在所述氧化物层上布置多晶硅层；在所述多晶硅层上布置第一金属层；在所述第一金属层上布置金属氮化物层；在所述金属氮化物层上布置第二金属层；在所述第二金属层上布置氮化硅层；在所述氮化硅层上布置光刻胶层；形成所述光刻胶层、所述氮化硅层以及所述第二金属层的上半部的包含侧壁的图案；执行钨穿透步骤，其中从自下而上地喷射可与第二金属层的金属发生反应的反应气体，以清除所述侧壁上的基于第二金属层的金属的聚合物；以及在钨穿透步骤之后执行所述光刻胶层的剥离。

优选地，在上述削弱侧壁再沉积的方法中，所述侧壁是半导体器件的栅极侧壁，并且所述氧化物层是栅极氧化物层。

优选地，在上述削弱侧壁再沉积的方法中，所述第一金属层是钛金属层。

优选地，在上述削弱侧壁再沉积的方法中，所述金属氮化物层是氮化钨层。

优选地，在上述削弱侧壁再沉积的方法中，所述第二金属层是钨金属层，并且所述基于第二金属层的金属的聚合物是基于钨的聚合物。

优选地，在上述削弱侧壁再沉积的方法中，所述削弱侧壁再沉积的方法用于制造MOS晶体管。

根据本发明的第二方面，提供了一种采用了根据本发明的第一方面的削弱侧壁再沉积的方法的刻蚀方法。

根据本发明的第三方面，提供了采用了根据本发明的第一方面的削弱侧壁再沉积的方法的半导体器件制造方法。

根据本发明，钨穿透步骤可以加速钨的刻蚀反应，由此可以减少基于钨的聚合物的形成，并且可以在光刻胶层的剥离步骤之前激活侧壁表面的基于钨的聚合物，使基于钨的聚合物被刻蚀掉，或者使基于钨的聚合物脱离侧壁表面。由此，在光刻胶层的剥离步骤中，可以更有效地去除侧壁上以及侧壁附近的基于钨的聚合物。

附图说明

结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中：

图1示意性地示出了根据现有技术的半导体器件的栅极加工工艺的示意图。

图2示意性地示出了根据现有技术的半导体器件的栅极加工工艺的部分流程图。

图3示意性地示出了根据本发明实施例的削弱侧壁再沉积的方法的示意图。